直接接合シリコン基板の開発
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
-
フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
-
CS-5-2 Si_Ge_X/Si(001)構造における転位および歪の評価と制御技術(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
-
「結晶評価技術の新展開」小特集によせて
-
「IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開」小特集にあたって(小特集序文)
-
選択横方向エピタキシャル成長により形成した GaN 膜中の転位構造
-
ランダム荷重下での疲労挙動に関する研究 : 第3報 : Miner則によらない新しい寿命予測法
-
フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
-
フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
-
Si基板上SiGe薄膜の歪と欠陥の制御
-
直接接合シリコン基板の開発
-
学習指導方法の習得過程に関する研究-教師の教育行為への知識社会学的接近-
-
選択横方向成長によって形成されたGaN膜中の転位構造
-
MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価
-
貼り合わせ直接接合SrTiO_3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
貼り合わせ直接接合SrTiO_3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク