Si基板上SiGe薄膜の歪と欠陥の制御
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
-
フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
-
La_2O_3-Al_2O_3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
電流検出型原子間力顕微鏡法を用いた極薄ゲート絶縁膜の信頼性評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
-
電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa_2O_3-Al_2O_3複合膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
-
電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析(電子材料)
-
電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドギャップの形成
-
Ge基板上へのPr酸化膜の作製と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
-
仮想Ge基板上におけるGe_Sn_xバッファ層の歪および転位構造制御
-
SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ
-
次世代シリコンULSIに向けたIV族系半導体ヘテロ界面のひずみと転位の制御技術と評価
-
Si_Ge_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
-
ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
「結晶評価技術の新展開」小特集によせて
-
「IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開」小特集にあたって(小特集序文)
-
選択横方向エピタキシャル成長により形成した GaN 膜中の転位構造
-
ランダム荷重下での疲労挙動に関する研究 : 第3報 : Miner則によらない新しい寿命予測法
-
フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
-
フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
-
エピタキシャル成長技術の進展を振り返って(第5章 最近10年の結晶成長の動き,日本結晶成長学会創立30周年記念)
-
Si基板上SiGe薄膜の歪と欠陥の制御
-
直接接合シリコン基板の開発
-
22aB7 FIELO技術を用いたGaN結晶の低転位化(気相成長II)
-
パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性
-
ヘテロエピタキシャル成長における歪緩和と貫通転位の低減 : Si(001)基板上の高品質Si_Ge_x歪緩和層の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
-
集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
-
集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
-
選択横方向成長によって形成されたGaN膜中の転位構造
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク