22aB7 FIELO技術を用いたGaN結晶の低転位化(気相成長II)
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概要
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GaN layers with low dislocation density were grown by facet-initiated epitaxial lateral overgrowth (FIELO) method. The important reduction mechanism m the FIELO was found to be the bending effect of dislocations caused by the facet formation m the beginning of the growth. Crack-free GaN layers with the thickness of 500 μm were successfully grown on 2-inch-diameter sapphire substrates by using this method.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
-
酒井 朗
名古屋大学工学研究科
-
酒井 朗
Nec基礎研究所
-
酒井 朗
名古屋大学
-
水田 正志
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
水田 正志
Nec光・無線デバイス研究所
-
黒田 尚孝
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
砂川 晴夫
NEC光・無線デバイス研究所
-
碓井 彰
NEC光・無線デバイス研究所
-
碓井 彰
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
砂川 晴夫
古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室
-
碓井 彰
古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室
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