集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
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概要
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集束イオンビーム技術を用いてSi MOSFETを作製し、デバイスのクーロンブロッケード現象を観測した。本研究では局所的なビーム障壁となる酸化膜を介してビームを掃引することにより、ナノメータースケールの実効チャネル長を持つ構造を形成した。この素子において、30K以下の低温で、クーロンブロッケードに起因する周期的なコンダクタンス振動を観測した。ゲート電圧(V_g)の振動周期をチャネル長の異なる試料に対して測定した結果、それがチャネル長の増加によって増大することを確認した。これはチャネル長の増加に伴い、ドット径が減少していくことを示唆している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-09
著者
-
酒井 朗
名古屋大学工学研究科
-
安田 幸夫
名古屋大学工学部
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
酒井 朗
大阪大学
-
酒井 朗
名古屋大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
安田 幸夫
名古屋大学
-
泉川 健太
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
-
財満 鎭明
名古屋大学
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