ガスソースMBE法による(100)Si基板上のSi_<1-x>Ge_x膜の成長初期過程 : 気相成長・薄膜II
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概要
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- 日本結晶成長学会の論文
- 1991-07-25
著者
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
小出 康夫
物質・材料研究機構センサ材料センター
-
小出 康夫
名古屋大学工学部電子工学科
-
小出 康夫
独立行政法人物質・材料研究機構物質研究所
-
吉川 彰彦
名大工
-
小出 康夫
名大工
-
財満 鎮明
名大工
-
安田 幸夫
名大工
-
小出 康夫
京都大学材料工学
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