Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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400℃以下の低温形成が可能であり、従来の平行平板型よりもプラズマダメージが低いSide-Wall電極型PECVDを用いてSiナノタリスタルドットを形成し、そのSiドットをフローティングゲートとしたメモリ素子を作製した。Siドットの形状を透過型電子顕微鏡(TEM)および原子間力顕微鏡(AFM)により評価した結果、直径が約5nm、ドット密度は約8.5×10^<11>/cm^2であり、隣接するドットどうしは孤立し、単一Siドットの作製が可能であることがわかった。このSiナノドットにおける電子注入、保持、放電特性をMOSキャパシタ構造およびMOSFET構造でのゲート電圧の掃引による容量や電流のヒステリシスによって室温で観測できた。また、そのしきい値電圧(vt)のシフト量から1ドットに保持されている電子の数の平均は約1個であることもわかった。本堆積手法によるシリコンナノクリスタルドットは、次世代のメモリの作製手法として有望である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-12-09
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
高橋 英治
日新電機株式会社
-
畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
緒方 潔
日新電機株式会社
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
向 正人
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
市川 和典
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
パンチャイペッチ P.
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
林 司
日新電機株式会社
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
市川 和典
神戸市立工業高等専門学校
-
パンチャイペッチ プラカイペッチ
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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