畑山 智亮 | 奈良先端科学技術大学院大学

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概要

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• 奈良先端科学技術大学院大学の論文著者

関連著者

• 畑山 智亮

  奈良先端科学技術大学院大学

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大学

• 畑山 智亮

  Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大

• 矢野 裕司

  奈良先端科学技術大学院大学

• 矢野 裕司

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 安田 幸夫

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 加藤 正史

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 吉原 一輝

  名古屋工業大学大学院 機能工学専攻

• 川村 哲也

  松下電器産業株式会社液晶事業部

• 川村 哲也

  松下電器産業(株)中央研究所

• 川村 哲也

  阪大基礎工

• 土橋 友次

  松下電器産業株式会社液晶事業部

• 川村 哲也

  大阪大学基礎工学部物性分野

• 岡本 大

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 笹田 浩介

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 梅野 智和

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 松下 由憲

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 石河 泰明

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

• 市村 正也

  名工大

• 森田 幸弘

  松下電器産業株式会社ディスプレイデバイス開発センター

• 中川 未浩

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 河北 哲郎

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 河北 哲郎

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

• 中川 未浩

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

• 石河 泰明

  奈良先端科学技術大学院大学

• パンチャイペッチ プラカイペッチ

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 安田 智成

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 吉原 一輝

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 加藤 正史

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 石河 泰明

  奈良先端科技大:CREST-JST

• 三宅 景子

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 高橋 英治

  日新電機株式会社

• 古田 守

  松下電器産業株式会社液晶事業部

• 武田 大輔

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 緒方 潔

  日新電機株式会社

• 平田 憲司

  奈良先端科学技術大学院大学物質創生科学研究科

• 長野 奈津代

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 山本 幸枝

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 石河 泰明

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 藤井 茉美

  奈良先端科学技術大学院大学

• Jung Ji

  サムスン綜合技術院

• Kwon Jang

  サムスン綜合技術院

• 菅原 祐太

  奈良先端科学技術大学院大学

• 向 正人

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 市川 和典

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• パンチャイペッチ P.

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 林 司

  日新電機株式会社

• 山本 幸枝

  (株)nttドコモ ネットワーク開発部

• 山本 幸枝

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

• 市川 和典

  神戸市立工業高等専門学校

• 北島 浩司

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 今奥 崇夫

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 大野 孝幸

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 畑山 智亮

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 高上 稔充

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 高上 稔充

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

• 大島 武

  日本原子力開発機構

• 加藤 健介

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学工芸学部

• 東名 敦志

  日新電機株式会社

• 芹川 正

  東京大学先端科学技術研究センター

• 大城 ゆき

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 中村 敦

  奈良先端科学技術大学院 大学物質創成科学研究科

• 堀井 貞義

  (株)日立国際電気

• 橋本 伸一郎

  松下電器産業株式会社ディスプレイデバイス開発センター

• 宮下 誠

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 中村 秀碁

  奈良先端科学技術大学院大学

• パンチャイペッチ プラカイペッチ

  奈良先端科学技術大学院大学

• 堀井 貞義

  日立国際電気

• 岡本 武士

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 平田 憲司

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 森田 幸弘

  松下電気産業ディスプレイデバイス開発センター

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学 工芸学部

• 平田 憲司

  奈良先端科学技術大学院大学

• 釜谷 智彦

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大学

• 矢野 裕司

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

• 畑山 智亮

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

• 梅澤 奈央

  奈良先端科学技術大学院大学

• 堀 良太

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 田村 哲也

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

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著作論文

• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 擬三次元シミュレーションによる多結晶シリコン薄膜太陽電池の動作解析(半導体Si及び関連電子材料評価)
• 単結晶シリコン薄膜太陽電池のシミュレーショシによる最適化設計(半導体Si及び関連電子材料評価)
• 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 (シリコン材料・デバイス)
• ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
• NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性(シリコン関連材料の作製と評価)
• Ga_2O3-In_2O_3-ZnO(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定(シリコン関連材料の作製と評価)
• 高圧水蒸気処理によるSiO_2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 高圧水蒸気熱処理したSiO_2/4H-SiC界面特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
• シリコンナノクリスタルドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
• ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低温ポリシリコンTFTにおけるホットキャリア効果
• 低温ポリシリコンTFTにおけるダイナミックストレスに対する信頼性
• 低温ポリシリコンTFTにおけるダイナミックストレスに対する信頼性
• Aluminum Induced Crystallization法を利用した多結晶Si薄膜の形成と評価
• 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減(シリコン関連材料の作製と評価)
• 低温Poly-Si TFTにおける発熱劣化の解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 極薄ゲートSiO_2膜Poly-Si CMOSトランジスタのホットキャリア劣化(シリコン関連材料の作製と評価)
• Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ(シリコン関連材料の作製と評価)
• 窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入 : Hfの組成と窒素プロファイルの制御(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 励起活性種を用いた極薄シリコン窒化膜の低温形成と構造解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 励起活性種を用いた極薄ゲート酸窒化膜の低温形成
• Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
• Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
• Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
• SC-8-12 Reliability of Low-Temperature Poly-Si Thin Film Transistors under Dynamic Stress
• Ga_2O_3-In_2O_3-ZnO(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• デバイスシミュレーションによる低温ポリシリコンTFTの動作/信頼性解析
• デバイスシミュレーションによる低温ポリシリコンTFTの動作/信頼性解析
• 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
• 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
• 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
• p-チャネル低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性
• ダイナミックストレスによる低温ポリシリコンTFTの信頼性評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
• SiO_2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl_3アニールの効果(シリコン関連材料の作製と評価)
• SiGeC界面緩衝層を用いた3C-SiC/Siヘテロエピタキシー
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• SiO_2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl_3アニールの効果
• 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング(シリコン関連材料の作製と評価)
• 4H-SiC(11-20)面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果(シリコン関連材料の作製と評価)
• 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• POCl_3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価

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