堀井 貞義 | (株)日立国際電気

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概要

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関連著者

• 堀井 貞義

  (株)日立国際電気

• 石川 大

  (株)日立国際電気

• 佐野 敦

  (株)日立国際電気

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大学

• 畑山 智亮

  Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology

• 畑山 智亮

  奈良先端科学技術大学院大学

• 丹羽 正昭

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 丹羽 正昭

  松下電器産業(株)

• 丹羽 正昭

  松下電器産業(株) 中央研究所

• 安田 幸夫

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所

• 矢野 裕司

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 矢野 裕司

  奈良先端科学技術大学院大学

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大

• 国井 泰夫

  (株)日立国際電気

• 宮 博信

  (株)日立国際電気

• 山本 和彦

  松下電器産業(株)

• 中村 秀碁

  奈良先端科学技術大学院大学

• パンチャイペッチ プラカイペッチ

  奈良先端科学技術大学院大学

• 堀井 貞義

  日立国際電気

• 浅井 優幸

  (株)日立国際電気

• 野村 久志

  (株)日立国際電気

• 北山 加奈子

  (株)日立国際電気

• パンチャイペッチ プラカイペッチ

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 丹羽 正昭

  松下電器産業 (株) 半導体研究センター

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著作論文

• HfSiON薄膜の形成における In-Situ ポスト窒化アニールの影響
• High-k インテグレートプロセスの研究開発
• 窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入 : Hfの組成と窒素プロファイルの制御(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• MOCVD法により成膜したHfO_2膜へのO_2リモートプラズマ効果
• Hf(MMP)4を用いたHfO2薄膜のPLCVD法による成膜

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