HfSiON薄膜の形成における In-Situ ポスト窒化アニールの影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2007-07-12
著者
関連論文
- HfO2系 High-k 材料クリーニングガスの研究
- 触媒CVD法による高移動度poly-Si TFTの作製
- 触媒CVD法による高移動度poly-Si TFTの作製
- HfSiON薄膜の形成における In-Situ ポスト窒化アニールの影響
- High-k インテグレートプロセスの研究開発
- 窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入 : Hfの組成と窒素プロファイルの制御(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- MOCVD法により成膜したHfO_2膜へのO_2リモートプラズマ効果
- Hf(MMP)4を用いたHfO2薄膜のPLCVD法による成膜