触媒CVD法による高移動度poly-Si TFTの作製

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概要

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触媒CVD法により、ポリシリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)を作製した。これまで、触媒CVD法で作製した高結晶化poly-Si膜は、膜中に酸素などの不純物を多く取り込む傾向があり、これがTFT移動度向上の妨げとなっていた。今回、触媒CVD法により様々なpoly-Si成膜条件に対してTFTを作製し、移動度向上に関する検討を行った。その結果、高結晶性を有するpoly-Si膜においても、含有不純物(特に酸素)濃度を低減できることを明らかにした。また、poly-Si膜中の含有酸素濃度と膜の結晶性、およびTFT移動度の関係を明らかにし、膜中酸素濃度が10^<19>cm^<-3>程度以下で、かつ結晶化率90%以上のpoly-Si膜であれば、数10cm^2/Vsの高移動度poly-Si TFTが作製可能であることを実証した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-04-12

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