Flash-MOCVD強誘電体薄膜形成装置の基礎と量産化技術(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
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概要
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本格的なFeRAMの量産が始まろうとしている。従って、メモリーの信頼性と容量の増大が今これらに求められている。このためデザインルールは縮小され、キャパシターセルの立体化が促進されている。それに伴い的確な成膜手段が必要とされている。この要求に適う方法は段差被覆性に富むMOCVDである。これに対する要求度は高く、その装置の需要は益々増加するものと考えられる。本研究ではSrBi_2,Ta_2O_9(SBT)強誘電体薄膜を形成する2インチウエハ対応のMOCVD装置を開発した。さらに、2インチウエハの研究成果を踏まえながら化学工学的手法により8インチウエハ対応のMOCVD装置へとスケールアップし、FeRAMの量産化に向けたFlash-MOCVDのモデル装置を完成させた。ここではFlash-MOCVD強誘電体薄膜形成装置の基礎と量産化技術について概説するすることにする。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-11
著者
-
梅田 優
株式会社ワコム研究所
-
都田 昌之
株式会社ワコム研究所
-
都田 昌之
山形大学工学部物質工学科
-
高橋 匠
山形大学工学部
-
上村 大樹
MIRAI-Selete
-
上村 大樹
山形大学工学部
-
縄野 真久
山形大学工学部
-
梅田 優
株式会社 渡辺商行
-
楠原 昌樹
株式会社 渡辺商行
-
矢元 久良
株式会社ワコム電創
-
深川 満
株式会社ワコム電創
-
庄司 正文
株式会社ワコム電創
-
阿久戸 和哉
株式会社ワコム電創
-
都田 昌之
山形大学工学部
-
阿久戸 和哉
国立大学法人山形大学大学院理工学研究科
-
上村 大樹
富士通セミコンダクタ
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