90/130nmテクノロジのCMOS回路におけるソフトエラー(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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概要

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• 高エネルギー中性子加速実験及びα線加速実験により, 90/130nmテクノロジのCMOS回路におけるソフトエラーを詳細に調べた.Latch回路における中性子及びα線ソフトエラーのプロセス依存性, SRAMの多ビットエラーにおけるエラー発生パターンとそのECC(エラー修正コード)への影響等を議論する.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-01-14

著者

• 岡 秀樹

  株式会社富士通研究所

• 岡 秀樹

  (株)富士通研究所

• 畑中 吉治

  京大理

• 畑中 吉治

  大阪大学核物理研究センター

• 畑中 吉治

  核物理セ

• 松岡 伸行

  大阪大学核物理研究センター

• 戸坂 義春

  (株)富士通研究所

• 江原 英郎

  (株)富士通

• 井桁 光昭

  (株)富士通

• 上村 大樹

  (株)富士通研究所

• 上村 大樹

  MIRAI-Selete

• 上村 大樹

  富士通セミコンダクタ

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