フルバンド・モンテカルロ・シミュレータFALCONによる量子力学的効果の解析(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
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概要
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sub-100nm 領域の極微細MOSFETにおいては,従来のDrift-Diffusion輸送モデルで完全に記述するのは難しく,モンテカルロ法による解析が注目されている.我々は,富士通製2次元フルバンド・モンテカルロ・シミュレータFALCONに量子効果モデルを導入し,量子効果がデバイス特性に与える影響を評価した.また,最近ではFinFET, TriGate FETなどNon-Planarデバイスが非常に注目されており,これらのデバイスでは構造的,量子効果的3次元効果が重要となる.そこでISE社3Dデバイス・シミュレータDESSISで, Density Gradient法を用いた3次元的量子効果を含めた解析を行い,2次元モンテカルロ計算との比較から2次元解析での限界について考察した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-22
著者
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