SRAM回路の3次元Mixed Modeシミュレーションによるスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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ゲート長10nmを切る微細デバイスも試作されているが,今後SRAMの動作が微細化限界を与えると予想される.将来の微細化に向け,非常に重要となるばらつきの観点から,回路特性への影響を見積もる.また,チャネルに離散的な不純物分布を与えたFinFET構造のSRAMについて,ばらつきの基礎的な検討をおこなった.さらに,SRAMのSNM,読み出し速度(I_<on>),消費電力(I_<off>)と,ゲートトンネル電流,量子効果との相関を検討する
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-18
著者
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岡 秀樹
株式会社富士通研究所
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岡 秀樹
(株)富士通研究所
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田辺 亮
株式会社富士通研究所
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芦澤 芳夫
株式会社富士通研究所
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田辺 亮
株式会社 富士通研究所
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芦澤 芳夫
株式会社 富士通研究所
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岡 秀樹
株式会社 富士通研究所
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