ITRS2003にしたがった微細化による不純物ばらつきの解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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MOSFET集積回路の微細化は既にサブ100nmゲート長の時代を迎え,プロセスの製造ばらつきに加え,本質的に避けがたい不純物ゆらぎの影響が無視できない.不純物分布に起因するばらつきに注目し,基板表面の不純物分布とポテンシャルの2次元的な分布に対してフーリエ変換を適用してパワースペクトルを求め,デバイスサイズがポテンシャルのゆらぎの波長より小さくなると,個々のトランジスタのばらつきが無視できなくなること示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-09-21
著者
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