ゲート界面のポテンシャルのゆらぎに起因するトランジスタ特性のばらつき解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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ポリシリコンゲート・酸化膜界面のポリシリコン表面に, 不純物濃度分布に非一様性のあるパターンを配置して, ゲート表面のポテンシャルゆらぎに起因するデバイス特性のばらつきを評価した.ゲート表面の2次元的な不純物分布パターンにマルチフラクタルの解析手法を導入して乱雑さの定量化を行った.そして, エントロピーの視点から分布パターンの非一様性のデバイス特性への影響とばらつきを抑制するための方法を検討した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-20
著者
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