離散的な不純物の扱いに関する基礎的検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
微細化にともない原子レベルの不純物分布がデバイス特性に与えるばらつきが問題となっている.離散的な不純物のδ関数的な濃度分布は数値的に不安定なので,分布に広がりを持たせたせてドリフト拡散に取り込むことが試みられている.しかし,それが不純物散乱の描像の分解能を低下させるとの指摘もある.本研究では,離散的な不純物の扱いの基礎的検討をおこない,離散的な分布のままドリフト拡散で取り扱う方法を述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-19
著者
関連論文
- インバータ,SRAM回路におけるばらつき要因が回路特性に与える影響の分析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 離散的な不純物の扱いに関する基礎的検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- SRAM回路の3次元Mixed Modeシミュレーションによるスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ゲート界面のポテンシャルのゆらぎに起因するトランジスタ特性のばらつき解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ITRS2003にしたがった微細化による不純物ばらつきの解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- フルバンド・モンテカルロ・シミュレータFALCONによる量子力学的効果の解析(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- フルバンド・モンテカルロ・シミュレータFALCONによる量子力学的効果の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90/130nmテクノロジのCMOS回路におけるソフトエラー(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- インバータ,SRAM回路におけるばらつき要因が回路特性に与える影響の分析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 離散的な不純物の扱いに関する基礎的検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- SRAM回路の3次元Mixed Modeシミュレーションによるスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ゲート界面のポテンシャルのゆらぎに起因するトランジスタ特性のばらつき解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ITRS2003にしたがった微細化による不純物ばらつきの解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 中性子ソフトエラーシミュレーションの新展開(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- ESD回路シミュレーションのための保護素子の等価回路モデル
- ESD回路シミュレーションのための保護素子の等価回路モデル
- 統合化シミュレーション
- ESD保護素子の等価回路モデルの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ESD保護素子の等価回路モデルの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)