芦澤 芳夫 | 株式会社富士通研究所
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概要
関連著者
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著作論文
- インバータ,SRAM回路におけるばらつき要因が回路特性に与える影響の分析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 離散的な不純物の扱いに関する基礎的検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- SRAM回路の3次元Mixed Modeシミュレーションによるスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ゲート界面のポテンシャルのゆらぎに起因するトランジスタ特性のばらつき解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ITRS2003にしたがった微細化による不純物ばらつきの解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- フルバンド・モンテカルロ・シミュレータFALCONによる量子力学的効果の解析(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
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- 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ゲート界面のポテンシャルのゆらぎに起因するトランジスタ特性のばらつき解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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- ITRS2003にしたがった微細化による不純物ばらつきの解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 中性子ソフトエラーシミュレーションの新展開(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)