岡 秀樹 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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岡 秀樹
(株)富士通研究所
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岡 秀樹
株式会社富士通研究所
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芦澤 芳夫
株式会社富士通研究所
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田辺 亮
株式会社富士通研究所
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戸坂 義春
(株)富士通研究所
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山崎 隆浩
株式会社富士通研究所
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山崎 隆浩
富士通研究所
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安西 浩美
(株)富士通研究所
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鈴木 邦広
(株)富士通研究所
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安西 浩美
(株)富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所ファブテクノロジ研究部
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山崎 隆浩
富士通研
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佐藤 成生
(株)富士通研究所
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田辺 亮
株式会社 富士通研究所
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芦澤 芳夫
株式会社 富士通研究所
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岡 秀樹
株式会社 富士通研究所
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芦澤 芳夫
(株)富士通研究所
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富士通株式会社
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佐藤 成生
富士通株式会社
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上村 大樹
MIRAI-Selete
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野村 俊雄
(株)富士通lsi事業部
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上村 大樹
富士通セミコンダクタ
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畑中 吉治
京大理
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畑中 吉治
大阪大学核物理研究センター
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核物理セ
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松岡 伸行
大阪大学核物理研究センター
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(株)富士通
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井桁 光昭
(株)富士通
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上村 大樹
(株)富士通研究所
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上村 大樹
株式会社富士通研究所
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戸坂 義春
株式会社富士通研究所
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佐藤 成生
株式会社富士通研究所
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岡 秀樹
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
著作論文
- インバータ,SRAM回路におけるばらつき要因が回路特性に与える影響の分析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 離散的な不純物の扱いに関する基礎的検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- SRAM回路の3次元Mixed Modeシミュレーションによるスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ゲート界面のポテンシャルのゆらぎに起因するトランジスタ特性のばらつき解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ITRS2003にしたがった微細化による不純物ばらつきの解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- フルバンド・モンテカルロ・シミュレータFALCONによる量子力学的効果の解析(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- フルバンド・モンテカルロ・シミュレータFALCONによる量子力学的効果の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90/130nmテクノロジのCMOS回路におけるソフトエラー(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- インバータ,SRAM回路におけるばらつき要因が回路特性に与える影響の分析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 離散的な不純物の扱いに関する基礎的検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- SRAM回路の3次元Mixed Modeシミュレーションによるスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ゲート界面のポテンシャルのゆらぎに起因するトランジスタ特性のばらつき解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ITRS2003にしたがった微細化による不純物ばらつきの解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 中性子ソフトエラーシミュレーションの新展開(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- ESD回路シミュレーションのための保護素子の等価回路モデル
- ESD回路シミュレーションのための保護素子の等価回路モデル
- 統合化シミュレーション
- ESD保護素子の等価回路モデルの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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