ESD保護素子の等価回路モデルの検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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近年、保護回路のESD(ElectroStatic Discharge)耐性を確保することが重要課題になっている。我々は、回路シミュレーションによるESD保護回路のESD耐性評価手法の確立を目指している。これまで、MOSトランジスタのESD保護素子の等価回路モデルを提案し、ESD耐性を特徴づけるスナップバック特性を再現する等価回路のパラメータの抽出手法を検討してきた。今回、スナップバック特性のゲート電圧依存を表現するESD保護素子の等価回路モデルについて提案し、検討する。また、実測値とシミュレーション値との比較も検討する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-09-24
著者
-
岡 秀樹
株式会社富士通研究所
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岡 秀樹
(株)富士通研究所
-
戸坂 義春
(株)富士通研究所
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安西 浩美
(株)富士通研究所
-
鈴木 邦広
(株)富士通研究所
-
安西 浩美
(株)富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所ファブテクノロジ研究部
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