高濃度チャネルとカウンタドープを用いたサブ0.1μmSOI-MOSFET
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概要
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SOI-MOSFETは接合容量が無視できるので低電力動作デバイスへの応用が期待されている。そのためには、低しきい値電圧を保ったままで短チャネル効果を抑制し、スタンバイ電流を低減するためにしきい値電圧付近での寄生トランジスタの動作を制限しなければならない。我々は、薄膜SOL基板を用い、イオン注入と熱処理によりp型均一高濃度層を形成し、その後チャネル表面にSbをカウンタドーピングすることにより、0.1μm以下のゲート長においても短チャネル効果が抑制され、精度良くしきい値電圧が制御可能なSOI-MOSFETを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
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