65nmノード用高性能25nm CMOS技術(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

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概要

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• 65nmノード用高性能25nm-CMOSを開発し。新材料や新構造を使わなくても、従来のプロセス条件を最適化するだけで(SW, offset-spacer, extension, halo, mechanical stress, etc)、高駆動能力有する微細CMOSの試作に成功した。ゲート絶縁膜中の窒素濃度を最適化し、nMOSの移動度向上とpMOSのNBTI (Negative Bias Temperature Instability)耐性を向上させた。その結果、ゲート長25nm/33nmのnMOSで、840/1010uA/um(Vdd=1V, Ioff=100nA/um)のドレイン電流と0.54/0.60psecのCV/I値を得た。これはこれまで報告された微細CMOSで最も高性能な値である。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-01-09

著者

• 児島 学

  富士通

• 後藤 賢一

  富士通株式会社 次世代lsi開発事業部

• 森岡 博

  富士通(株)

• 橋本 浩一

  富士通(株)

• 杉井 寿博

  (株)富士通研究所

• 小倉 輝

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 後藤 賢一

  (株)富士通研究所

• 籾山 陽一

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 森 年史

  富士通株式会社

• 加勢 正隆

  富士通株式会社

• 森岡 博

  富士通株式会社

• ピディン S.

  富士通

• 稲垣 聡

  富士通

• 堀 充明

  富士通

• 田川 幸雄

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 大田 裕之

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• ピディン S.

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 籾山 陽一

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 小倉 輝

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 稲垣 聡

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 田村 直義

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 堀 充明

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 橋本 浩一

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 児島 学

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 杉井 寿博

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 加瀬 正隆

  富士通

• 田村 直義

  富士通研究所、あきる野テクノロジセンター

• 大田 裕之

  富士通研究所、あきる野テクノロジセンター

• 田川 幸雄

  富士通株式会社

• 籾山 陽一

  富士通(株)

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス

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