メタルオーバーゲート構造を用いた低電力・高周波SOI-DTMOS
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概要
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この論文では、新しいゲート構造を有する80nmゲート長SOI-nDTMOS構造を提案する。鍵となる技術は従来のロジックCMOSプロセスにメタルオーバーゲートプロセスを導入したことである。メタルオーバーゲート構造を使用して、RF用Si-MOSFETのfmaxとしてかつて報告された記録を大幅に越える185GHzを達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-15
著者
-
廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
-
廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
-
渡邊 祐
(株)富士通研究所
-
廣瀬 達哉
株式会社 富士通研究所
-
渡邊 祐
株式会社 富士通研究所
-
渡邊 祐
株式会社富士通研究所
-
籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
加納 英樹
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
-
籾山 陽一
株式会社 富士通研究所
-
小杉 真人
株式会社 富士通研究所
-
杉井 寿博
株式会社 富士通研究所
-
籾山 陽一
富士通(株)
-
渡辺 祐
富士通研
-
渡邊 祐
富士通(株)
-
加納 英樹
株式会社富士通研究所
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