化合物半導体集積回路の低電力化技術
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概要
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移動体通信やパーソナルコンピュータなどの急激な普及により、半導体集積回路の低電力化、低価格化に向けた技術への要求は、これまでになく高まってきた。これに応えるため微細化や高集積化、低電圧化など素子技術、回路技術を含めた総合的な技術革新が必要となっている。GaAs MESFET,HEMT,HBTなど化合物半導体技術による実験が期待される高速、高周波での応用分野においても、同様に低電力化が求められている。本報告では、これらの化合物半導体回路の低電力技術の現状と問題点について触れ、その可能性と今後の技術動向を示すいくつかの例を紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
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