自己発熱効果を含むHBTシミュレーションモデル
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaAs系HBTは、その高速性を利用して、光通信や携帯電話用パワーアンプヘの検討がなされているが、GaAsの熱伝導率はSiの約1/3であるため、局所的に温度が上昇する、いわゆる自己発熱効果が現れやすい。半導体は、特性の温度依存が大きいため、回路設計に於いては、自己発熱効果を考慮することが重要である。そこで、自己発熱効果を取り入れたHBTのシミュレーションモデルについて検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
-
山浦 新司
(株)富士通研究所rf設計部
-
渡邊 祐
(株)富士通研究所
-
渡邊 祐
株式会社富士通研究所
-
大西 裕明
(株)富士通研究所
-
渡辺 祐
富士通研
-
大西 裕明
富士通研究所
関連論文
- A 40-Gb/s CMOS Distributed Amplifier for Fiber-Optic Communication Systems (VLSI一般(ISSCC2004特集))
- 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
- SC-10-1 超高周波MMICパッケージング技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- C-2-7 70-110GHz帯高利得増幅器MMIC(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-2-15 インバーテドマイクロストリップ路線を用いた利得帯域積 500 GHz 分布型増幅器
- C-2-12 樹脂封止フリップチップW帯多層MMIC
- インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
- SC-10-1 分布型FETモデルを用いたデバイスパラメタのゲート幅スケーリングの検討
- 幾何学形状を考慮したFET小信号等価回路モデル
- 超広帯域40-Gb/s光通信用LiNbO_3変調器駆動回路
- 0.8V低電力HEMTプリスケーラ
- 0.7-mW/2-GHzデュアルジュラスプリスケーラIC
- W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
- 化合物半導体集積回路の低電力化技術
- プリスケーラ用低電力フリップフロップの検討
- SC-5-2 InGaPチャネルFETにおける高耐圧化の機構
- C-2-5 InP-HEMTを用いた1.8V_差動型広帯域増幅器の検討(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- メタルオーバーゲート構造を用いた低電力・高周波SOI-DTMOS
- B-5-126 超高速ギガビット無線LANの研究開発(33) : ミリ波OFDMシステムの装置試作と伝送実験(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- B-5-91 超高速ギガビット無線LANの研究開発(27) : ミリ波OFDMシステムにおけるベースバンド部の試作(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- C-2-96 94GHz帯パッシブイメージセンサの開発(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般講演)
- B-5-105 超高速ギガビット無線LANの研究開発(12) : OFDM方式の装置概要(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般講演)
- 10Gb/sPreAmpIC内蔵APDモジュールの開発
- A-1-21 パイプラインAD変換器の低電力フロントエンド回路(A-1. 回路とシステム, 基礎・境界)
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- C-10-19 寄生容量低減によるミリ波用InAlAs/InGaAs HEMTの低雑音化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-16 90nm Si-CMOSによる20GHz、100mW高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-5-144 超高速ギガビット無線LANの研究開発(19) : ミリ波OFDMシステムにおけるキャリア周波数同期の検討(B-5. 無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- CS-3-7 94GHz帯パッシブイメージセンサ用受信器の開発(C-3. ミリ波無線システムと回路・デバイスの開発動向,シンポジウムセッション)
- CS-3-5 90nmCMOS技術を用いたミリ波パワーアンプ(C-3. ミリ波無線システムと回路・デバイスの開発動向,シンポジウムセッション)
- ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-19 25GHz動作40mW出力90nm Si-CMOS増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-10-5 InP HEMT短パルス発生器のジッタ特性(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-4 InAlAs障壁層を薄層化したInAlAs/InGaAs HEMTの雑音特性(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 94GHz帯パッシブイメージセンサの開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 高速オーバサンプリングHEMT ADコンバータ : Polarity Alternating Feedback Comparatorを用いた5GHz ΣΔアナログディジタルコンバータ
- 高速オーバサンプリングHEMT ADコンバータ : Polarity Alternating Feedback Comparatorを用いた5GHz ΣΔアナログディジタルコンバータ
- 高速オーバサンプリングHEMT ADコンバータ : Polarity Alternating Feedback Comparatorを用いた5GHz ΣΔアナログディジタルコンバータ
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-14 空間構造InP HEMTのワイドゲート化による雑音特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ダイナミックバイナリサーチによる高速チューニング機能を有した広帯域シンセサイザ(VLSI一般(ISSCC2006特集))
- ダイナミックバイナリサーチによる高速チューニング機能を有した広帯域シンセサイザ
- 10Gb/s光通信用HBT-ICチップセットの開発
- C-12-55 プロセスばらつきを考慮したRF MOSFETモデル(C-12. 集積回路AC(RFモデリング),一般セッション)
- C-10-5 InP HEMT技術を用いたCMU付きフルレート4:1マルチプレクサ(C-10.電子デバイス)
- 高集積HBT-ICを用いた10Gb/s光受信機
- PLL方式による10Gb/sクロック・データ再生HBT-IC
- 自己発熱効果を含むHBT過渡解析モデル
- 自己発熱効果を含むHBTシミュレーションモデル
- C-2-15 フリップチップ実装を用いた38/76GHzシングルバランス型周波数逓倍器
- SC-10-1 超高周波MMICパッケージング技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- C-2-61 フリップチップコプレーナ線路によるW帯多段増幅器MMIC
- W帯MMIC多段増幅器
- InP HEMTを用いた超広帯域プリアンプIC
- 可変利得および受動素子による位相補償を用いた1.2V電源3.5mW動作ΔΣAD変換器(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
- インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
- 70GHz広帯域分布増幅器
- SC-10-1 分布型FETモデルを用いたデバイスパラメタのゲート幅スケーリングの検討
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTのモノリシック集積化
- InGaP/GaAs HBTを用いた10Gb/s光通信用ICの開発
- 10GHz HBT Multivibrator VCO の安定発振化の検討と試作
- AlGaAS/GaAsHBTにおける低電圧動作のためのコレクタ構造の検討
- 低電圧動作,高効率 AlGaAs/GaAs HBT
- C-10-16 InP-HEMTを用いた400Gbit/s動作 D-FF&MUX回路
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUXIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2 : 1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMTを用いた超高速デジタルIC
- 70GHz広帯域分布増幅器
- 70GHz広帯域分布増幅器
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- CT-2-2 ミリ波用InP HEMTの熱雑音抑制(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- C-2-31 68-110GHz超広帯域増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUX IC(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
- CT-1-6 RF CMOSの技術動向(CT-1.移動体通信を支える化合物半導体デバイス,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- InP HEMT を用いた超高速デジタルIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- C-10-13 非対称リセスInP HEMTによるミリ波LNAの雑音改善手法(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 90nm CMOSテクノロジを用いた3バンド対応W-CDMA用電力増幅器IC(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)