C-10-4 InAlAs障壁層を薄層化したInAlAs/InGaAs HEMTの雑音特性(C-10.電子デバイス,一般講演)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-29
著者
-
佐藤 優
株式会社富士通研究所
-
廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
-
廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
廣瀬 達哉
富士通研究所
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
牧山 剛三
富士通
-
廣瀬 達哉
富士通株式会社
-
牧山 剛三
富士通株式会社
-
原 直紀
富士通株式会社
-
佐藤 優
富士通株式会社
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
-
佐藤 優
富士通研究所
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