牧山 剛三 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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牧山 剛三
富士通
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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多木 俊裕
富士通
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原 直紀
富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
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今西 健治
富士通
-
今西 健治
富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
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高橋 剛
富士通株式会社
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吉川 俊英
富士通
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牧山 剛三
富士通株式会社
-
中舎 安宏
富士通株式会社
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中舎 安宏
(株)富士通研究所
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鈴木 俊秀
富士通株式会社
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通
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常信 和清
富士通株式会社
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廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
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原 直紀
富士通株式会社
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吉川 俊英
富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
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鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
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廣瀬 達哉
富士通研究所
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川野 陽一
富士通株式会社
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重松 寿生
(株)富士通研究所
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中舍 安宏
株式会社富士通研究所
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金村 雅仁
富士通株式会社
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中舎 安宏
富士通研究所
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増田 哲
富士通研究所
-
増田 哲
(株)富士通研究所
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今西 健治
(株)富士通研究所
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鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
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川野 陽一
株式会社富士通研究所
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重松 寿生
富士通研究所
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多木 俊裕
株式会社富士通研究所
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増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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川野 陽一
名古屋大学工学研究科
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岡本 直哉
(株)富士通研究所
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廣瀬 達哉
富士通株式会社
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多木 俊裕
富士通株式会社
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今西 健治
富士通株式会社
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牧山 剛三
富士通研究所
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佐藤 優
株式会社富士通研究所
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多木 俊裕
(株)富士通研究所
-
佐藤 優
富士通株式会社
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佐藤 優
富士通研究所
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井上 雄介
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
(株)富士通研究所
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常信 和清
(株)富士通研究所
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金村 雅仁
富士通(株)
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澤田 憲
(株)富士通研究所
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佐藤 優
株式会社 秋田鶏病中央研究所
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鈴木 俊秀
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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佐藤 優
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通(株)
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滝川 正彦
(株)富士通研究所
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中舍 安宏
富士通株式会社
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澤田 憲
Fujitsu Laboratories Ltd.
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鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
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原 直紀
富士通
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西 真弘
富士通カンタムデバイス(株) 先端技術開発部
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山田 敦史
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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佐藤 優
東海大 工
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原 直紀
富士通(株)
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川野 陽一
(株)富士通研究所
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西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
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西 真弘
富士通カンタムデバイス(株)
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川野 陽一
日本医科大学外科
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川野 陽一
日本医科大学多摩永山病院 外科
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多木 俊裕
富士通(株)
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今西 健治
富士通(株)
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常信 和清
富士通(株)
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高橋 剛
富士通(株)
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山田 全男
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通(株)
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吉川 俊英
富士通(株)
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常信 和清
富士通
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岡本 直哉
富士通株式会社
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増田 哲
富士通株式会社
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尾崎 史朗
株式会社富士通研究所
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中村 哲一
株式会社富士通研究所
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多木 俊裕
富士通研究所
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尾崎 史朗
富士通研究所
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渡部 慶二
富士通研究所
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西森 理人
富士通研究所
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山田 敦史
富士通研究所
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澤谷 邦男
東北大学大学院工学研究科
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水野 皓司
東北大学電気通信研究所
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佐藤 弘康
東北大学大学院工学研究科
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水野 皓司
東北大学
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佐藤 弘康
東北大学 大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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澤谷 邦男
東北大学 大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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佐藤 優
富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
-
荒井 知之
(株)富士通研究所
-
澤谷 邦男
東北大学大学院工学研究科電気・通信専攻
-
水野 浩司
東北大通研
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加納 英樹
株式会社富士通研究所
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス株式会社
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加納 英樹
(株)富士通研究所
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深田 憲
(株)富士通研究所
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澤谷 邦男
東北大学
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佐藤 優
富士通(株)
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赤瀬川 章彦
(株)富士通研究所
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山田 敦史
富士通株式会社
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岩井 大介
(株)富士通研究所
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吉川 俊秀
富士通(株)
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山田 敦史
富士通(株)
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増田 哲
富士通(株)
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重松 寿生
富士通(株)
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田島 龍彦
富士通株式会社
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多木 俊裕
株式会社 富士通研究所
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赤瀬川 章彦
富士通株式会社
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増田 哲
富士通
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SAWADA K.
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Sawada K.
(株)富士通研究所
-
岩井 大介
富士通研
著作論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- W帯GaN MMIC送受信増幅器
- GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- CT-1-4 化合物半導体デバイス : InP系,GaN系(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
- ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
- C-10-19 寄生容量低減によるミリ波用InAlAs/InGaAs HEMTの低雑音化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-4 InAlAs障壁層を薄層化したInAlAs/InGaAs HEMTの雑音特性(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- CI-1-5 70-100GHz帯10Gb/s無線通信用InP HEMT送受信モジュールの開発(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-10-5 0.1-μm InP HEMTによる85-GHz 15.5-dBm分布型増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 障壁層薄層化によるInP系HEMTの特性改善
- 横方向スケーリングによるInP系HEMTの高周波特性向上
- InAlAs障壁層薄層化によるInP系HEMTのソース抵抗低減および相互コンダクタンス向上
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 招待講演 InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討 (電子デバイス)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUXIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2 : 1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMTを用いた超高速デジタルIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- CT-2-2 ミリ波用InP HEMTの熱雑音抑制(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
- 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上
- CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUX IC(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
- InP系HEMTの低雑音化とミリ波応用
- InP HEMT を用いた超高速デジタルIC
- InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- C-10-13 非対称リセスInP HEMTによるミリ波LNAの雑音改善手法(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 (電子デバイス)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 (電子部品・材料)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)