吉川 俊英 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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吉川 俊英
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
富士通
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常信 和清
(株)富士通研究所
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
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今西 健治
(株)富士通研究所
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常信 和清
富士通株式会社
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今西 健治
富士通
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今西 健治
富士通研究所
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今西 健治
富士通研
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原 直紀
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
富士通
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岡本 直哉
富士通
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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原 直紀
富士通研究所
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重松 寿生
(株)富士通研究所
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井上 雄介
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通
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重松 寿生
富士通研究所
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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増田 哲
富士通研究所
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増田 哲
(株)富士通研究所
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増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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横川 茂
富士通カンタムデバイス(株)
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横山 満徳
富士通カンタムデバイス
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館野 泰範
富士通カンタムデバイス(株)
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館野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
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横川 茂
富士通カンタムデバイス
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吉川 俊英
富士通研究所
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田中 均
富士通研究所
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山田 全男
(株)富士通研究所
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五十嵐 勉
富士通カンタムデバイス(株)
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岩井 大介
(株)富士通研究所
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田中 均
(株)富士通研究所
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田中 正公
富士通カンタムデバイス(株)
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長原 正樹
富士通カンタムデバイス
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安達 信雄
富士通カンタムデバイス
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安達 信雄
ユーディナデバイス株式会社
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西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス株式会社
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岩井 大介
富士通研
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西岡 健
富士通カンタムデバイス株式会社
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山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
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原 直紀
株式会社富士通研究所
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加藤 真一
富士通カンタムデバイス
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木村 徳治
富士通研究所
-
木村 徳治
(株)富士通研究所
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福澤 香苗
(株)富士通研究所
-
久保 徳郎
(株)富士通研究所
-
加藤 眞一
(株)富士通研究所
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赤瀬川 章彦
(株)富士通研究所
-
落水 洋聡
(株)富士通研究所
-
西岡 健
(株)富士通研究所
-
山本 達
(株)富士通研究所
-
赤瀬川 章彦
富士通株式会社
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米野 純次
(株)富士通研究所
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福澤 香苗
(株)富士通研究所化合物lsi研究部
著作論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- ED2000-92 MOCVD成長GaAs/InGaPヘテロ構造における界面の制御
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MOVPE成長V族切換界面(InGaP/(In) GaAs)の特性制御
- MOVPE成長InGaP/GaAsヘテロ界面の評価
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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- 導電性n型SiC基板上に作製したAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- CS-9-2 携帯電話基地局用GaN-HEMT(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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- 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 有機V族原料を用いた有機金属気相成長
- SC-6-7 Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT