原 直紀 | 株式会社富士通研究所
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概要
関連著者
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原 直紀
株式会社富士通研究所
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原 直紀
富士通研究所
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
富士通
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牧山 剛三
富士通
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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今西 健治
富士通研究所
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今西 健治
富士通
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今西 健治
富士通研
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吉川 俊英
富士通
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牧山 剛三
富士通株式会社
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中舍 安宏
株式会社富士通研究所
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高橋 剛
富士通株式会社
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
富士通研究所
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中舎 安宏
(株)富士通研究所
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中舎 安宏
富士通研究所
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中舎 安宏
富士通株式会社
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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吉川 俊英
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
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多木 俊裕
富士通株式会社
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金村 雅仁
富士通株式会社
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常信 和清
富士通株式会社
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今西 健治
富士通株式会社
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佐藤 優
富士通株式会社
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佐藤 優
株式会社富士通研究所
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佐藤 優
(株)富士通研究所
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佐藤 優
東海大 工
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佐藤 優
富士通研究所
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佐藤 優
株式会社 秋田鶏病中央研究所
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鈴木 俊秀
富士通株式会社
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岡本 直哉
富士通
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川野 陽一
富士通株式会社
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鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
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鈴木 俊秀
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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川野 陽一
日本医科大学外科
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川野 陽一
名古屋大学工学研究科
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川野 陽一
日本医科大学多摩永山病院 外科
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増田 哲
富士通研究所
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増田 哲
(株)富士通研究所
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原 直紀
富士通株式会社
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山田 敦史
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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川野 陽一
株式会社富士通研究所
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廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
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廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
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廣瀬 達哉
富士通研究所
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常信 和清
株式会社富士通研究所
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高橋 剛
(株)富士通研究所
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渡邊 祐
(株)富士通研究所
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渡邊 祐
株式会社 富士通研究所
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渡邊 祐
株式会社富士通研究所
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多木 俊裕
株式会社富士通研究所
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滝川 正彦
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通研究所
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長原 正樹
富士通カンタムデバイス
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渡辺 祐
富士通研
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渡邊 祐
富士通(株)
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中舎 安宏
株式会社富士通研究所
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滝川 正彦
株式会社富士通研究所
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岡本 直哉
富士通株式会社
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増田 哲
富士通株式会社
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尾崎 史朗
株式会社富士通研究所
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中村 哲一
株式会社富士通研究所
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多木 俊裕
富士通研究所
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尾崎 史朗
富士通研究所
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渡部 慶二
富士通研究所
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西森 理人
富士通研究所
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山田 敦史
富士通研究所
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重松 寿生
(株)富士通研究所
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高橋 剛
富士通研究所
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多木 俊裕
(株)富士通研究所
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今西 健治
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
(株)富士通研究所
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重松 寿生
富士通研究所
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牧山 剛三
株式会社富士通研究所
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高橋 剛
株式会社富士通研究所
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峰山 亜希子
東京工業大学統合研究院
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鈴木 俊秀
富士通研究所
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岡本 直哉
株式会社富士通研究所
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今西 健治
株式会社富士通研究所
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川野 陽一
日本医科大学付属病院外科
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川野 陽一
富士通セミコンダクター株式会社
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赤瀬川 章彦
(株)富士通研究所
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井上 雄介
(株)富士通研究所
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山田 全男
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
(株)富士通研究所
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常信 和清
(株)富士通研究所
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山田 敦史
富士通株式会社
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金村 雅仁
富士通(株)
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多木 俊裕
富士通(株)
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今西 健治
富士通(株)
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牧山 剛三
富士通(株)
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常信 和清
富士通(株)
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島 昌司
富士通株式会社
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島 昌司
(株)富士通研究所
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大橋 洋二
富士通株式会社
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佐藤 優
富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
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中舍 安宏
富士通株式会社
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黒田 滋
富士通研
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吉川 俊秀
富士通(株)
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山田 敦史
富士通(株)
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増田 哲
富士通(株)
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重松 寿生
富士通(株)
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原 直紀
富士通(株)
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末廣 晴彦
株式会社富士通研究所
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松倉 祐輔
株式会社富士通研究所
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島 昌司
株式会社富士通研究所
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黒田 滋
株式会社富士通研究所
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末廣 晴彦
(株)富士通研究所
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川野 陽一
富士通研究所
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田島 龍彦
富士通株式会社
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赤瀬川 章彦
富士通株式会社
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大島 武典
富士通株式会社
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峰山 亜希子
株式会社富士通研究所
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峰山 亜希子
富士通研究所
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松村 宏志
富士通株式会社グローバルアクセス事業部
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志村 利宏
富士通株式会社
著作論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
- GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- pチャネルヘテロ接合FET特性改善のための Mgイオン注入の検討
- CI-1-5 70-100GHz帯10Gb/s無線通信用InP HEMT送受信モジュールの開発(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-14 空間構造InP HEMTのワイドゲート化による雑音特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- CT-2-2 ミリ波用InP HEMTの熱雑音抑制(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- C-2-31 68-110GHz超広帯域増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- InP系HEMTの低雑音化とミリ波応用
- InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-13 非対称リセスInP HEMTによるミリ波LNAの雑音改善手法(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- C-2-34 トランスフォーマーによる中和技術を用いたミリ波帯単相アンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-88 77GHz帯ミリ波レーダ用受信回路の開発(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- カスケード位相比較器を用いたミリ波PLLシンセサイザ(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)