今西 健治 | 富士通株式会社

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概要

• 同名の論文著者
• 富士通株式会社の論文著者

関連著者

• 吉川 俊英

  富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部

• 今西 健治

  富士通研究所

• 金村 雅仁

  (株)富士通研究所

• 牧山 剛三

  (株)富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通

• 吉川 俊英

  富士通

• 牧山 剛三

  富士通株式会社

• 多木 俊裕

  富士通株式会社

• 金村 雅仁

  富士通株式会社

• 今西 健治

  富士通株式会社

• 原 直紀

  株式会社富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

• 今西 健治

  富士通

• 今西 健治

  富士通研

• 牧山 剛三

  富士通

• 常信 和清

  富士通株式会社

• 吉川 俊英

  富士通研究所

• 原 直紀

  富士通研究所

• 常信 和清

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 牧山 剛三

  株式会社 富士通研究所

• 中舍 安宏

  株式会社富士通研究所

• 増田 哲

  富士通研究所

• 増田 哲

  (株)富士通研究所

• 原 直紀

  (株)富士通研究所

• 岡本 直哉

  富士通

• 中舎 安宏

  (株)富士通研究所

• 中舎 安宏

  富士通研究所

• 中舎 安宏

  富士通株式会社

• 岡本 直哉

  富士通株式会社

• 増田 哲

  富士通株式会社

• 尾崎 史朗

  株式会社富士通研究所

• 中村 哲一

  株式会社富士通研究所

• 尾崎 史朗

  富士通研究所

• 増田 哲

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 山田 敦史

  富士通株式会社

• 山田 敦史

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

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著作論文

• GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT

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