岡本 直哉 | 富士通
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概要
関連著者
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岡本 直哉
富士通
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吉川 俊英
富士通
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今西 健治
富士通
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今西 健治
富士通研
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今西 健治
富士通研究所
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
富士通
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
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常信 和清
富士通株式会社
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岡本 直哉
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通
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原 直紀
富士通研究所
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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増田 哲
富士通研究所
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増田 哲
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
富士通研究所
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増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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多木 俊裕
(株)富士通研究所
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今西 健治
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
(株)富士通研究所
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常信 和清
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
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重松 寿生
(株)富士通研究所
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重松 寿生
富士通研究所
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金村 雅仁
富士通(株)
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井上 雄介
(株)富士通研究所
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高橋 剛
(株)富士通研究所
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金村 雅仁
富士通株式会社
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原 直紀
株式会社富士通研究所
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尾崎 史朗
株式会社富士通研究所
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中村 哲一
株式会社富士通研究所
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牧山 剛三
富士通研究所
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岡本 直哉
株式会社富士通研究所
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高橋 剛
富士通株式会社
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多木 俊裕
富士通(株)
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今西 健治
富士通(株)
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牧山 剛三
富士通(株)
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岡本 直哉
富士通(株)
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吉川 俊英
富士通(株)
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常信 和清
富士通(株)
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今田 忠紘
株式会社富士通研究所
-
中舍 安宏
株式会社富士通研究所
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山田 全男
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通株式会社
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多木 俊裕
富士通株式会社
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今西 健治
富士通株式会社
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原 直紀
富士通
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多木 俊裕
株式会社富士通研究所
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中舎 安宏
(株)富士通研究所
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中舎 安宏
富士通研究所
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中舎 安宏
富士通株式会社
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原 直紀
富士通(株)
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常信 和清
富士通
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岡本 直哉
富士通株式会社
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増田 哲
富士通株式会社
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尾崎 史朗
富士通研究所
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宮島 豊生
株式会社富士通研究所
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吉川 俊英
株式会社富士通研究所
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金村 雅仁
株式会社富士通研究所
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横川 茂
富士通カンタムデバイス(株)
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山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
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加藤 真一
富士通カンタムデバイス
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牧山 剛三
株式会社富士通研究所
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高橋 剛
株式会社富士通研究所
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荒井 知之
(株)富士通研究所
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長原 正樹
富士通カンタムデバイス
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横山 満徳
富士通カンタムデバイス
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木村 徳治
富士通研究所
-
木村 徳治
(株)富士通研究所
-
館野 泰範
富士通カンタムデバイス(株)
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澤田 憲
(株)富士通研究所
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澤田 憲
Fujitsu Laboratories Ltd.
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館野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
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加藤 眞一
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
富士通研究所
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岡本 直哉
富士通研究所
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今西 健治
株式会社富士通研究所
-
横川 茂
富士通カンタムデバイス
-
赤瀬川 章彦
(株)富士通研究所
-
鈴木 秀雄
富士通研究所
-
高橋 剛
富士通研究所
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田中 均
富士通研究所
-
田中 均
(株)富士通研究所
-
滝川 正彦
(株)富士通研究所
-
鈴木 秀雄
(株)富士通研究所
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常信 和清
富士通研究所
-
赤瀬川 章彦
富士通株式会社
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増田 哲
富士通
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金村 雅仁
富士通研究所
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岡本 直哉
(現)東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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原 直紀
(現)東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
渡部 慶二
富士通研究所
-
今田 忠紘
富士通研究所
-
美濃浦 優一
富士通研究所
著作論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- W帯GaN MMIC送受信増幅器
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
- ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
- GaSによるGaAs表面パッシベーションとその応用
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- 超高速IC用InP HEMTデバイス・プロセス技術
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- C-10-13 共鳴トンネルダイオードを用いたサンプリング回路
- TC-1-2 RTD/HEMT 高集積回路実現のためのプロセス技術
- 低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用
- 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)