高橋 剛 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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高橋 剛
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
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廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
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廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
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中舎 安宏
(株)富士通研究所
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鈴木 俊秀
富士通株式会社
-
中舎 安宏
富士通株式会社
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鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
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鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
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高橋 剛
富士通株式会社
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廣瀬 達哉
富士通研究所
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滝川 正彦
(株)富士通研究所
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澤田 憲
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通
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澤田 憲
Fujitsu Laboratories Ltd.
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西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
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今西 健治
富士通研究所
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岡本 直哉
(株)富士通研究所
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今西 健治
(株)富士通研究所
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西 真弘
富士通カンタムデバイス(株) 先端技術開発部
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川野 陽一
富士通株式会社
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今西 健治
富士通
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川野 陽一
(株)富士通研究所
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西 真弘
富士通カンタムデバイス(株)
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川野 陽一
株式会社富士通研究所
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今西 健治
富士通研
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佐藤 優
株式会社富士通研究所
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重松 寿生
(株)富士通研究所
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佐藤 優
(株)富士通研究所
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中舍 安宏
株式会社富士通研究所
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川野 陽一
名古屋大学工学研究科
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増田 哲
(株)富士通研究所
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廣瀬 達哉
富士通株式会社
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原 直紀
株式会社富士通研究所
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中舎 安宏
富士通研究所
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佐藤 優
東海大 工
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佐藤 優
富士通株式会社
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス株式会社
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増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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佐藤 優
富士通研究所
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佐藤 優
株式会社 秋田鶏病中央研究所
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多木 俊裕
(株)富士通研究所
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常信 和清
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通
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原 直紀
富士通研究所
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荒井 知之
(株)富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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加納 英樹
株式会社富士通研究所
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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加納 英樹
(株)富士通研究所
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深田 憲
(株)富士通研究所
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鈴木 秀雄
富士通研究所
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増田 哲
富士通研究所
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田中 均
富士通研究所
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横川 茂
富士通カンタムデバイス(株)
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス(株)
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小野 克二
(株)富士通研究所
-
小野 克二
株式会社 富士通研究所
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重松 寿生
富士通研究所
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田中 均
(株)富士通研究所
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鈴木 秀雄
(株)富士通研究所
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SAWADA K.
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Sawada K.
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
(現)東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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原 直紀
(現)東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
横川 茂
富士通カンタムデバイス
著作論文
- C-2-7 70-110GHz帯高利得増幅器MMIC(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-2-15 インバーテドマイクロストリップ路線を用いた利得帯域積 500 GHz 分布型増幅器
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
- ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
- GaSによるGaAs表面パッシベーションとその応用
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-14 空間構造InP HEMTのワイドゲート化による雑音特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- SC-9-8 多層配線を用いた 110-GHz 超広帯域フリップチップ分布型増幅器
- C-10-13 共鳴トンネルダイオードを用いたサンプリング回路
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUXIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2 : 1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMTを用いた超高速デジタルIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- CT-2-2 ミリ波用InP HEMTの熱雑音抑制(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUX IC(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
- InP HEMT を用いた超高速デジタルIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- TC-1-2 RTD/HEMT 高集積回路実現のためのプロセス技術
- C-10-13 非対称リセスInP HEMTによるミリ波LNAの雑音改善手法(C-10.電子デバイス,一般セッション)