高橋 剛 | 富士通株式会社
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概要
関連著者
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高橋 剛
富士通株式会社
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
原 直紀
富士通株式会社
-
原 直紀
富士通研究所
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社
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牧山 剛三
富士通株式会社
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中舎 安宏
富士通株式会社
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
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廣瀬 達哉
富士通研究所
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牧山 剛三
富士通
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中舎 安宏
(株)富士通研究所
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廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
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川野 陽一
富士通株式会社
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佐藤 優
富士通株式会社
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佐藤 優
株式会社富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
株式会社富士通研究所
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通研究所
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川野 陽一
株式会社富士通研究所
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佐藤 優
株式会社 秋田鶏病中央研究所
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佐藤 優
(株)富士通研究所
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中舍 安宏
株式会社富士通研究所
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多木 俊裕
富士通
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
佐藤 優
富士通研究所
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鈴木 俊秀
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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川野 陽一
名古屋大学工学研究科
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佐藤 優
東海大 工
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鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
-
高橋 剛
(株)富士通研究所
-
廣瀬 達哉
富士通株式会社
-
高橋 剛
富士通研究所
-
中舍 安宏
富士通株式会社
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
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川野 陽一
(株)富士通研究所
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鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
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川野 陽一
日本医科大学外科
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川野 陽一
日本医科大学多摩永山病院 外科
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今西 健治
富士通研究所
-
岡本 直哉
富士通
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吉川 俊英
富士通
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牧山 剛三
株式会社富士通研究所
-
高橋 剛
株式会社富士通研究所
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牧山 剛三
富士通研究所
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今西 健治
富士通
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高橋 剛
富士通(株)
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多木 俊裕
株式会社 富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
-
吉川 俊英
富士通研究所
-
佐藤 優
富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
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滝川 正彦
(株)富士通研究所
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常信 和清
富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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金村 雅仁
富士通研究所
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芝 祥一
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
芝 祥一
富士通株式会社
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澤谷 邦男
東北大学大学院工学研究科
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水野 皓司
東北大学電気通信研究所
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佐藤 弘康
東北大学大学院工学研究科
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重松 寿生
株式会社富士通研究所
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重松 寿生
(株)富士通研究所
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水野 皓司
東北大学
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佐藤 弘康
東北大学 大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
澤谷 邦男
東北大学 大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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井上 雄介
(株)富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
重松 寿生
富士通研究所
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原 直紀
富士通
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牧山 剛三
富士通(株)
-
井上 雄介
株式会社富士通研究所
-
原 直紀
富士通(株)
-
澤谷 邦男
東北大学大学院工学研究科電気・通信専攻
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鈴木 俊秀
富士通研究所
-
水野 浩司
東北大通研
-
岡本 直哉
株式会社富士通研究所
-
今西 健治
株式会社富士通研究所
-
澤谷 邦男
東北大学
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佐藤 優
富士通(株)
-
吉川 俊英
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
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多木 俊裕
(株)富士通研究所
-
岡本 直哉
(株)富士通研究所
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
滝川 正彦
富士通研究所
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澤田 憲
(株)富士通研究所
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川野 陽一
富士通研究所
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田島 龍彦
富士通株式会社
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澤田 憲
Fujitsu Laboratories Ltd.
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岡本 直哉
富士通研究所
-
SAWADA K.
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Sawada K.
(株)富士通研究所
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中舍 安宏
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
高橋 剛
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
松村 宏志
富士通株式会社グローバルアクセス事業部
-
中舎 安宏
富士通株式会社グローバルアクセス事業部
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社グローバルアクセス事業部
-
牧山 剛三
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
著作論文
- 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
- CT-1-4 化合物半導体デバイス : InP系,GaN系(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 広帯域整合技術を用いた90GHz InP HEMT抵抗整合型増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-10-19 寄生容量低減によるミリ波用InAlAs/InGaAs HEMTの低雑音化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-5 InP HEMT短パルス発生器のジッタ特性(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-4 InAlAs障壁層を薄層化したInAlAs/InGaAs HEMTの雑音特性(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 広帯域整合技術を用いた90GHz InP HEMT抵抗整合型増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CI-1-5 70-100GHz帯10Gb/s無線通信用InP HEMT送受信モジュールの開発(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-10-5 0.1-μm InP HEMTによる85-GHz 15.5-dBm分布型増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-14 空間構造InP HEMTのワイドゲート化による雑音特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 障壁層薄層化によるInP系HEMTの特性改善
- 横方向スケーリングによるInP系HEMTの高周波特性向上
- InAlAs障壁層薄層化によるInP系HEMTのソース抵抗低減および相互コンダクタンス向上
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上,AWAD2006)
- 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上
- 超高速IC用InP HEMTデバイス・プロセス技術
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUXIC
- CT-2-2 ミリ波用InP HEMTの熱雑音抑制(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- C-2-31 68-110GHz超広帯域増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
- 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上
- 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上
- CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUX IC(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
- InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- InP系HEMTの低雑音化とミリ波応用
- InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-13 非対称リセスInP HEMTによるミリ波LNAの雑音改善手法(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器 (電子デバイス)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術
- ED2012-95 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-38 93-133GHz帯InP HEMT増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-11 75 nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(C-10.電子デバイス)