鈴木 俊秀 | 富士通株式会社
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概要
関連著者
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鈴木 俊秀
富士通株式会社
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中舎 安宏
富士通株式会社
-
廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
-
川野 陽一
富士通株式会社
-
中舎 安宏
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
-
川野 陽一
株式会社富士通研究所
-
廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
廣瀬 達哉
富士通研究所
-
川野 陽一
名古屋大学工学研究科
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原 直紀
(株)富士通研究所
-
原 直紀
富士通株式会社
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鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
(株)富士通研究所
-
牧山 剛三
富士通株式会社
-
滝川 正彦
(株)富士通研究所
-
佐藤 優
富士通株式会社
-
佐藤 優
株式会社 秋田鶏病中央研究所
-
廣瀬 達哉
富士通株式会社
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
-
佐藤 優
(株)富士通研究所
-
原 直紀
富士通研究所
-
佐藤 優
株式会社富士通研究所
-
多木 俊裕
株式会社富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通研究所
-
佐藤 優
東海大 工
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佐藤 優
富士通研究所
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澤田 憲
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
富士通研究所
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
-
中舍 安宏
株式会社富士通研究所
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川野 陽一
日本医科大学外科
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川野 陽一
日本医科大学多摩永山病院 外科
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常信 和清
富士通株式会社
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原 直紀
株式会社富士通研究所
-
加納 英樹
株式会社富士通研究所
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多木 俊裕
富士通
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牧山 剛三
富士通
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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高橋 剛
株式会社富士通研究所
-
中舍 安宏
富士通株式会社
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川野 陽一
(株)富士通研究所
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西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
-
高橋 剛
富士通研究所
-
今西 健治
富士通研究所
-
西 真弘
富士通カンタムデバイス(株) 先端技術開発部
-
今西 健治
富士通
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川野 陽一
富士通研究所
-
西 真弘
富士通カンタムデバイス(株)
-
重松 寿生
(株)富士通研究所
-
牧山 剛三
株式会社富士通研究所
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澤田 憲
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
中舎 安宏
株式会社富士通研究所
-
滝川 正彦
株式会社富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
多木 俊裕
株式会社 富士通研究所
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
常信 和清
(株)富士通研究所
-
重松 寿生
富士通研究所
-
佐藤 優
富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
-
滝川 正彦
富士通研究所
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峰山 亜希子
東京工業大学統合研究院
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牧山 剛三
富士通研究所
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス株式会社
-
川野 陽一
日本医科大学付属病院外科
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川野 陽一
富士通セミコンダクター株式会社
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芝 祥一
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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芝 祥一
富士通株式会社
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渡邊 祐
(株)富士通研究所
-
渡邊 祐
株式会社富士通研究所
-
常信 和清
富士通研究所
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澤田 憲
株式会社富士通研究所
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渡辺 祐
富士通研
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渡邊 祐
富士通(株)
-
常信 和清
株式会社富士通研究所
-
大矢 章雄
富士通カンタムデバイス株式会社
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加納 英樹
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
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原 直紀
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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深田 憲
(株)富士通研究所
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松村 宏志
富士通株式会社グローバルアクセス事業部
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山浦 新司
(株)富士通研究所rf設計部
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス(株)
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廣瀬 達哉
株式会社 富士通研究所
-
渡邊 祐
株式会社 富士通研究所
-
大橋 洋二
富士通株式会社
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中舎 安宏
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
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重松 寿生
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
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鈴木 俊秀
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
-
加納 英樹
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
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高橋 剛
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
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原 直紀
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
-
渡邊 祐
富士通研究所
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田島 龍彦
富士通株式会社
-
高橋 剛
株式会社 ハウ
-
山浦 新司
株式会社富士通研究所
-
大西 裕明
富士通研究所
-
大島 武典
富士通株式会社
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原 直樹
富士通研究所
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澤田 憲
富士通研究所
-
今西 健治
株式会社富士通研究所
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鈴水 俊秀
株式会社富士通研究所
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SAWADA K.
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Sawada K.
(株)富士通研究所
-
加納 英樹
富士通研究所
-
峰山 亜希子
富士通株式会社
-
常信 和清
富士通株式会社電子デバイス事業本部
-
峰山 亜希子
株式会社富士通研究所
-
峰山 亜希子
富士通研究所
-
中舍 安宏
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
高橋 剛
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通株式会社グローバルアクセス事業部
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社グローバルアクセス事業部
-
牧山 剛三
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
志村 利宏
富士通株式会社
著作論文
- SC-7-3 超高速光通信用HEMT-ICの開発
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- C-2-16 90nm Si-CMOSによる20GHz、100mW高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CS-3-5 90nmCMOS技術を用いたミリ波パワーアンプ(C-3. ミリ波無線システムと回路・デバイスの開発動向,シンポジウムセッション)
- ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-19 25GHz動作40mW出力90nm Si-CMOS増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- CI-1-5 70-100GHz帯10Gb/s無線通信用InP HEMT送受信モジュールの開発(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-10-5 0.1-μm InP HEMTによる85-GHz 15.5-dBm分布型増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上,AWAD2006)
- 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上
- C-10-5 InP HEMT技術を用いたCMU付きフルレート4:1マルチプレクサ(C-10.電子デバイス)
- InP HEMTを用いた超広帯域プリアンプIC
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- C-10-16 InP-HEMTを用いた400Gbit/s動作 D-FF&MUX回路
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUXIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2 : 1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMTを用いた超高速デジタルIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
- 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上
- 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上
- CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUX IC(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
- InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- C-10-15 43Gbit/s動作InP-HEMT/D-FF回路の低電圧化
- C-10-3 InP-HEMTを用いた63Gbit/s動作1:2デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP HEMT を用いた超高速デジタルIC
- InP系HEMT技術を用いた43Gb/sフルレート4:1マルチプレクサ
- InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- C-2-23 65nm CMOSを用いたシングルチップK帯パワーアンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器 (電子デバイス)
- C-2-34 トランスフォーマーによる中和技術を用いたミリ波帯単相アンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-88 77GHz帯ミリ波レーダ用受信回路の開発(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器 (電子デバイス)
- ED2012-95 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-38 93-133GHz帯InP HEMT増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-11 75 nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(C-10.電子デバイス)
- カスケード位相比較器を用いたミリ波PLLシンセサイザ(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)