中舎 安宏 | 富士通株式会社
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概要
関連著者
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中舎 安宏
富士通株式会社
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中舎 安宏
(株)富士通研究所
-
廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
-
廣瀬 達哉
富士通研究所
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中舎 安宏
富士通研究所
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川野 陽一
富士通株式会社
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高橋 剛
富士通株式会社
-
中舍 安宏
株式会社富士通研究所
-
川野 陽一
株式会社富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
-
川野 陽一
名古屋大学工学研究科
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原 直紀
富士通研究所
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高橋 剛
(株)富士通研究所
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廣瀬 達哉
富士通株式会社
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鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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牧山 剛三
富士通
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牧山 剛三
富士通株式会社
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原 直紀
株式会社富士通研究所
-
原 直紀
富士通株式会社
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滝川 正彦
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
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佐藤 優
富士通株式会社
-
多木 俊裕
富士通
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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佐藤 優
株式会社 秋田鶏病中央研究所
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鈴木 俊秀
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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佐藤 優
株式会社富士通研究所
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佐藤 優
(株)富士通研究所
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鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
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佐藤 優
東海大 工
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佐藤 優
富士通研究所
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加納 英樹
株式会社富士通研究所
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多木 俊裕
株式会社富士通研究所
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中舍 安宏
富士通株式会社
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澤田 憲
(株)富士通研究所
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川野 陽一
日本医科大学外科
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川野 陽一
日本医科大学多摩永山病院 外科
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高橋 剛
富士通研究所
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常信 和清
富士通株式会社
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横尾 郁
富士通株式会社
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鈴木 俊秀
富士通研究所
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川野 陽一
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通研究所
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大橋 洋二
株式会社富士通研究所
-
本田 敦
富士通株式会社
-
大橋 洋二
富士通株式会社
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高橋 剛
株式会社富士通研究所
-
石津 英三
富士通九州ディジタル・テクノロジ(株)
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今西 健治
富士通
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澤田 憲
Fujitsu Laboratories Ltd.
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中舎 安宏
株式会社富士通研究所
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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石津 英三
富士通九州ネットワークテクノロジーズ株式会社
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吉川 俊英
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
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増田 哲
富士通研究所
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増田 哲
(株)富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通
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吉川 俊英
富士通
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多木 俊裕
富士通株式会社
-
金村 雅仁
富士通株式会社
-
今西 健治
富士通株式会社
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吉川 俊英
富士通研究所
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滝川 正彦
富士通研究所
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牧山 剛三
富士通研究所
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東 充宏
富士通株式会社トランスポート事業本部
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東 充宏
富士通株式会社
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岡本 直哉
富士通株式会社
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増田 哲
富士通株式会社
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尾崎 史朗
株式会社富士通研究所
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中村 哲一
株式会社富士通研究所
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西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
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尾崎 史朗
富士通研究所
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今西 健治
富士通研
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増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
東 充宏
富士通研究所
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大石 泰之
富士通株式会社
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常信 和清
(株)富士通研究所
-
大石 泰之
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
株式会社富士通研究所
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西 真弘
富士通カンタムデバイス(株) 先端技術開発部
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大石 泰之
富士通研
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田中 正博
富士通九州ネットワークテクノロジーズ株式会社
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川野 陽一
富士通研究所
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滝川 正彦
株式会社富士通研究所
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス株式会社
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西 真弘
富士通カンタムデバイス(株)
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大矢 章雄
富士通カンタムデバイス株式会社
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加納 英樹
(株)富士通研究所
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深田 憲
(株)富士通研究所
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芝 祥一
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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芝 祥一
富士通株式会社
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上田 哲也
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科電子システム工学部門
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西川 健二郎
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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重松 寿生
(株)富士通研究所
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岡崎 浩司
NTTドコモ先進技術研究所
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鈴木 恭宜
NTTドコモ先進技術研究所
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大久保 賢祐
岡山県立大学
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廣田 明道
三菱電機株式会社
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鴨田 浩和
日本放送協会
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上田 哲也
京都工芸繊維大学
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西川 健二郎
日本電信電話株式会社
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山浦 新司
(株)富士通研究所rf設計部
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上田 哲也
京都工繊大
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス(株)
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渡邊 祐
(株)富士通研究所
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廣瀬 達哉
株式会社 富士通研究所
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渡邊 祐
株式会社富士通研究所
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重松 寿生
富士通研究所
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井田 一郎
富士通株式会社
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中舎 安宏
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
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重松 寿生
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
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鈴木 俊秀
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
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加納 英樹
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
-
高橋 剛
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
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原 直紀
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
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加藤 雄介
富士通株式会社
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大久保 賢祐
岡山県立大学情報工学部
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藤田 栄治
富士通九州ネットワークテクノロジーズ株式会社
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砥綿 浩史
富士通九州ネットワークテクノロジーズ株式会社
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渡辺 祐
富士通研
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田島 龍彦
富士通株式会社
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渡邊 祐
富士通(株)
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高橋 剛
株式会社 ハウ
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山浦 新司
株式会社富士通研究所
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上田 哲也
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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澤田 憲
富士通研究所
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上田 哲也
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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廣田 明道
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
今西 健治
株式会社富士通研究所
-
鈴水 俊秀
株式会社富士通研究所
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SAWADA K.
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Sawada K.
(株)富士通研究所
-
加納 英樹
富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社電子デバイス事業本部
-
大久保 賢祐
岡山県立大
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廣田 明道
三菱電機
-
岡崎 浩司
NTTドコモ 先進技術研究所
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松村 宏志
富士通株式会社グローバルアクセス事業部
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中舎 安宏
富士通株式会社グローバルアクセス事業部
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社グローバルアクセス事業部
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高橋 剛
富士通株:株富士通研究所
著作論文
- 2009年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
- SC-7-3 超高速光通信用HEMT-ICの開発
- W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- B-5-126 超高速ギガビット無線LANの研究開発(33) : ミリ波OFDMシステムの装置試作と伝送実験(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- B-5-91 超高速ギガビット無線LANの研究開発(27) : ミリ波OFDMシステムにおけるベースバンド部の試作(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- B-5-105 超高速ギガビット無線LANの研究開発(12) : OFDM方式の装置概要(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般講演)
- B-5-198 超高速ギガビット無線LANの研究開発(3) : OFDM方式のシステム構成(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般講演)
- C-2-16 90nm Si-CMOSによる20GHz、100mW高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-5-144 超高速ギガビット無線LANの研究開発(19) : ミリ波OFDMシステムにおけるキャリア周波数同期の検討(B-5. 無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-19 25GHz動作40mW出力90nm Si-CMOS増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-10-5 InP HEMT短パルス発生器のジッタ特性(C-10.電子デバイス,一般講演)
- CI-1-5 70-100GHz帯10Gb/s無線通信用InP HEMT送受信モジュールの開発(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-10-5 0.1-μm InP HEMTによる85-GHz 15.5-dBm分布型増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-14 空間構造InP HEMTのワイドゲート化による雑音特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-5 InP HEMT技術を用いたCMU付きフルレート4:1マルチプレクサ(C-10.電子デバイス)
- 招待講演 InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討 (電子デバイス)
- C-10-16 InP-HEMTを用いた400Gbit/s動作 D-FF&MUX回路
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUXIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2 : 1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMTを用いた超高速デジタルIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- CT-2-2 ミリ波用InP HEMTの熱雑音抑制(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUX IC(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
- InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- C-10-15 43Gbit/s動作InP-HEMT/D-FF回路の低電圧化
- InP系HEMTの低雑音化とミリ波応用
- C-10-3 InP-HEMTを用いた63Gbit/s動作1:2デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP HEMT を用いた超高速デジタルIC
- InP系HEMT技術を用いた43Gb/sフルレート4:1マルチプレクサ
- InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- C-10-13 非対称リセスInP HEMTによるミリ波LNAの雑音改善手法(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 大容量ミリ波帯インパルス無線技術 (特集 ネットワーク) -- (サービスの進化を支えるネットワーク転送インフラ技術)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器
- C-2-38 93-133GHz帯InP HEMT増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-11 75 nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(C-10.電子デバイス)
- CI-2-5 超高速ダイオード技術の現状と展望(CI-2.ミリ波・テラヘルツ波応用に向けた電子デバイス・回路研究開発の現状と展望,依頼シンポジウム)