重松 寿生 | (株)富士通研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
重松 寿生
(株)富士通研究所
-
重松 寿生
富士通研究所
-
井上 雄介
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通研究所
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通
-
牧山 剛三
富士通
-
多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
-
増田 哲
富士通研究所
-
増田 哲
(株)富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社
-
原 直紀
富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
多木 俊裕
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
(株)富士通研究所
-
常信 和清
(株)富士通研究所
-
岡本 直哉
富士通
-
増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
廣瀬 達哉
富士通研究所
-
岡本 直哉
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通研究所
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社
-
佐藤 優
富士通株式会社
-
重松 寿生
株式会社富士通研究所
-
佐藤 優
株式会社富士通研究所
-
Rodwell Mark
University of California
-
山田 全男
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
(株)富士通研究所
-
佐藤 優
富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
-
井上 雄介
富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
-
西 真弘
富士通カンタムデバイス(株) 先端技術開発部
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
-
西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
-
西 真弘
富士通カンタムデバイス(株)
-
佐藤 優
富士通研究所
-
Brewer Forrest
University of California
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
-
井上 雄介
株式会社富士通研究所
-
多木 俊裕
株式会社富士通研究所
-
牧山 剛三
株式会社富士通研究所
-
高橋 剛
株式会社富士通研究所
-
赤瀬川 章彦
富士通株式会社
-
内田 浩光
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
西川 健二郎
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
-
森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
吉川 俊英
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
-
佐藤 優
(株)富士通研究所
-
廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
-
西川 健二郎
NTT未来ねっと研究所
-
赤瀬川 章彦
(株)富士通研究所
-
黒木 太司
呉工業高専
-
佐野 公一
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
-
西川 健二郎
日本電信電話株式会社
-
西川 健二郎
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
-
森 一富
三菱電機
-
Nishikawa Kenjiro
Nippon Telegraph and Telephone corporation
-
内田 浩光
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
中川 匡夫
NTT
-
廣瀬 達哉
株式会社 富士通研究所
-
内田 浩光
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
岩井 大介
(株)富士通研究所
-
金村 雅仁
富士通(株)
-
多木 俊裕
富士通(株)
-
今西 健治
富士通(株)
-
牧山 剛三
富士通(株)
-
常信 和清
富士通(株)
-
松毛 和久
東芝
-
中舎 安宏
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
-
重松 寿生
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
-
鈴木 俊秀
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
-
加納 英樹
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
-
高橋 剛
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
-
原 直紀
株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所
-
山田 敦史
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通株式会社
-
中川 匡夫
Ntt 未来ねっと研
-
牧山 剛三
富士通研究所
-
吉川 俊秀
富士通(株)
-
山田 敦史
富士通(株)
-
増田 哲
富士通(株)
-
重松 寿生
富士通(株)
-
原 直紀
富士通(株)
-
佐野 公一
Ntt
-
高橋 剛
株式会社 ハウ
-
加納 英樹
株式会社富士通研究所
-
増田 哲
富士通
-
西 眞弘
富士通カンタムデバイス株式会社
-
西川 健二郎
Ntt
-
内田 浩光
三菱電機
-
入江 寿憲
防衛省技術研究本部電子装備研究所
-
佐藤 玲司
防衛省技術研究本部電子装備研究所
-
重松 寿生
富士通株式会社
-
清水 貴之
防衛省技術研究本部電子装備研究所
-
岩井 大介
富士通研
-
林 寛貴
防衛省技術研究本部電子装備研究所
-
藤井 孝郎
株式会社富士通システム統合研究所
-
天辰 松次
富士通株式会社
-
森脇 正生
富士通株式会社
著作論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- A 40-Gb/s CMOS Distributed Amplifier for Fiber-Optic Communication Systems (VLSI一般(ISSCC2004特集))
- C-10-1 40Gbit/s光通信用CMOS分布型増幅器(C-10.電子デバイス)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- W帯GaN MMIC送受信増幅器
- CT-1-5 ミリ波および広帯域CMOS回路(CT-1.Si集積回路配線の解析と設計,エレクトロニクス2)
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 広帯域整合技術を用いた90GHz InP HEMT抵抗整合型増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 2004年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- C-2-26 分布増幅器の高利得化法
- 1.4THz利得帯域積超広帯域プリアンプIC
- SC-7-3 超高速光通信用HEMT-ICの開発
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 広帯域整合技術を用いた90GHz InP HEMT抵抗整合型増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 1.4THz利得帯域積超広帯域プリアンプIC
- 1.4THz利得帯域積超広帯域プリアンプIC
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- L帯GaN送受信モジュールの高出力化に関する研究(リモートセンシング及び一般)