今西 健治 | (株)富士通研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
今西 健治
富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
-
吉川 俊英
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通
-
常信 和清
(株)富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
重松 寿生
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
(株)富士通研究所
-
岡本 直哉
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通
-
岡本 直哉
富士通
-
重松 寿生
富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
原 直紀
富士通研究所
-
井上 雄介
(株)富士通研究所
-
牧山 剛三
富士通
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
-
増田 哲
富士通研究所
-
増田 哲
(株)富士通研究所
-
岩井 大介
(株)富士通研究所
-
増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
岩井 大介
富士通研
-
高橋 剛
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通研究所
-
田中 均
富士通研究所
-
山田 全男
(株)富士通研究所
-
山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
-
西 真弘
富士通カンタムデバイス(株) 先端技術開発部
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
-
田中 均
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社
-
小原 史朗
(株)富士通研究所
-
山田 浩
(株)富士通研究所
-
山口 泰弘
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
-
小原 史朗
富士通カンタムデバイス株式会社
-
西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
-
西 真弘
富士通カンタムデバイス(株)
-
西岡 健
富士通カンタムデバイス株式会社
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
-
福澤 香苗
(株)富士通研究所
-
久保 徳郎
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
赤瀬川 章彦
(株)富士通研究所
-
鈴木 秀雄
富士通研究所
-
落水 洋聡
(株)富士通研究所
-
宮下 工
(株)富士通研究所
-
鈴木 秀雄
(株)富士通研究所
-
西岡 健
(株)富士通研究所
-
山本 達
(株)富士通研究所
-
赤瀬川 章彦
富士通株式会社
-
西 眞弘
富士通カンタムデバイス株式会社
-
福澤 香苗
(株)富士通研究所化合物lsi研究部
著作論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- ED2000-92 MOCVD成長GaAs/InGaPヘテロ構造における界面の制御
- 高出力InGaP/GaAs HBTの位相歪みとACP特性
- InGaP/GaAs HBTの線形性に対するソースインピーダンスの影響
- 低電圧動作LバンドInGaP/GaAs パワーHBT
- MOVPE成長V族切換界面(InGaP/(In) GaAs)の特性制御
- MOVPE成長InGaP/GaAsヘテロ界面の評価
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 導電性n型SiC基板上に作製したAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- CS-9-2 携帯電話基地局用GaN-HEMT(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- C-10-13 共鳴トンネルダイオードを用いたサンプリング回路
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用