多木 俊裕 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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多木 俊裕
(株)富士通研究所
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今西 健治
富士通研究所
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今西 健治
(株)富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
富士通
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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原 直紀
富士通研究所
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今西 健治
富士通
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今西 健治
富士通研
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通
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岡本 直哉
富士通
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吉川 俊英
富士通
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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重松 寿生
(株)富士通研究所
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井上 雄介
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
(株)富士通研究所
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常信 和清
(株)富士通研究所
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重松 寿生
富士通研究所
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常信 和清
富士通株式会社
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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増田 哲
富士通研究所
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増田 哲
(株)富士通研究所
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増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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吉川 俊英
富士通研究所
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山田 全男
(株)富士通研究所
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高橋 剛
(株)富士通研究所
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原 直紀
株式会社富士通研究所
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高橋 剛
富士通株式会社
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赤瀬川 章彦
(株)富士通研究所
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鈴木 秀雄
富士通研究所
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岩井 大介
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通(株)
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鈴木 秀雄
(株)富士通研究所
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原 直紀
富士通(株)
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高橋 剛
富士通(株)
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赤瀬川 章彦
富士通株式会社
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岡本 直哉
(現)東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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原 直紀
(現)東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
岩井 大介
富士通研
著作論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 障壁層薄層化によるInP系HEMTの特性改善
- C-10-13 共鳴トンネルダイオードを用いたサンプリング回路
- TC-1-2 RTD/HEMT 高集積回路実現のためのプロセス技術