ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
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概要
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We present high performance normally-off GaN MIS-HEMTs. Devices with n-GaN/i-AlN/n-GaN cap layer, recessed gate and insulated gate structure show high drain current and complete normally-off operation. A maximum drain current and threshold voltage are 800 mA/mm and +3 V, respectively. The off-state breakdown voltage is over 320 V. In addition, a current collapse is very small. These results indicate that the recessed AlGaN/GaN MIS-HEMT with novel triple cap layer could be a promising technology for future device applications.
- 2010-06-01
著者
-
今西 健治
富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
(株)富士通研究所
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通
-
吉川 俊英
富士通
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
吉川 俊英
富士通研究所
-
原 直紀
富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
今西 健治
富士通研
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