高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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概要
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本稿では基地局向けGaN-HEMTの開発状況と今後について述べる。高周波パワー応用においては高効率動作が必須である。よって本報告ではGaN-HEMTを用いて携帯電話基地局用50V動作・250W出力の増幅器を試作し、第三世代基地局用規格での高効率動作を確認した。また初期信頼度についての評価を行い、60V動作1000時間の安定動作を確認した。また3-inch以上の大口径基板上のステッパ露光プロセスも行い閾値電圧の標準偏差で20-30mVと良好な値を得た。半絶縁性SiC基板は高価であるため、安価な導電性SiC基板を使用した試作も行い、基地局用途として十分な特性を得ることに初めて成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-22
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