高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造
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概要
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- 2008-11-07
著者
-
吉川 俊英
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
-
今西 健治
富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通
-
吉川 俊英
富士通
-
金村 雅仁
富士通株式会社
-
常信 和清
富士通株式会社
-
原 直紀
富士通
-
金村 雅仁
富士通(株)
-
多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
原 直紀
富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
常信 和清
富士通
-
今西 健治
富士通研
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