100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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新規3層キャップ構造とリセスゲート構造を用いることにより、高耐圧、高いドレイン電流密度、低い電流コラプスを満たすエンハンスメント・モード動作AlGaN/GaN HEMTを作製した.閾値電圧は+0.25V、破壊耐圧は336V、最大ドレイン電流密度は520mA/mmが得られた.3層キャップ構造はGaN/AlN/GaNにて構成されており、ピエゾ分極の効果によりシート抵抗を低減している.本研究のHEMTの増幅器としての出力は2.5GHzにおいて1チップで126Wに達し、良好な歪特性も得ることができた.今後は、本構造を短ゲート素子へ展開することにより、高出力ミリ波帯増幅器の実現を目指す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-20
著者
-
吉川 俊英
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
-
今西 健治
富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通
-
牧山 剛三
富士通
-
岡本 直哉
富士通
-
吉川 俊英
富士通
-
金村 雅仁
富士通株式会社
-
常信 和清
富士通株式会社
-
原 直紀
富士通
-
金村 雅仁
富士通(株)
-
多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
原 直紀
富士通研究所
-
牧山 剛三
富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
常信 和清
富士通
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
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