75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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概要
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寄生容量低減のためゲート電極周辺を空洞化したゲート長75nmのInP HEMT(g_m: 2S/mm、f_T: 390GHz、f_<max>: 490GHz)を用いて、伝送速度が10Gb/s超を超えるインパルス無線通信への適用を念頭に短パルス発生器ICを開発した。試作の結果、ビットレート20Gb/s以上のランダムパルス列を生成することに成功した。生成したパルスの半値幅は4.9ps(オシロスコープのシステム誤差補償後3.4ps)と、固体電子デバイスとしてはこれまで非線形伝送線路(NLTL)でしか成し得なかった性能を確認した。今回開発した短パルス発生器は、無線通信のほか、帯域が100GHzを越えるオシロスコープやネットワークアナライザなど計測器や、超高分解能レーダなど様々な広帯域システムにも適用可能である。
- 2010-01-06
著者
-
中舍 安宏
株式会社富士通研究所
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
川野 陽一
日本医科大学外科
-
川野 陽一
名古屋大学工学研究科
-
川野 陽一
日本医科大学多摩永山病院 外科
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通
-
牧山 剛三
富士通
-
牧山 剛三
富士通株式会社
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
-
原 直紀
富士通株式会社
-
多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
多木 俊裕
株式会社富士通研究所
-
原 直紀
富士通研究所
-
中舎 安宏
(株)富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通研究所
-
川野 陽一
富士通株式会社
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社
-
中舎 安宏
富士通株式会社
-
鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
-
川野 陽一
株式会社富士通研究所
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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