ED2012-95 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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短距離大容量通信システムへの適用に向け,75 nm InP HEMTを用いてF帯(90-140 GHz)で動作する電流再利用型の双方向増幅器を開発した.ゲート接地トランジスタと,インダクタとスイッチから成る小型可変整合回路により,順方向利得12-15 dB,逆方向9-12 dBで50 GHz以上の広帯域で双方向動作することを確認した.比帯域では,順方向39%,逆方向32%と,従来と比べほぼ2倍である.出力特性は,双方向とも飽和で3 dBm以上が得られた.雑音特性としてはNF 5 dB以下の計算値が得られている.電源電圧2.4 Vで消費電力はわずか15 mWであった.今回開発した双方向増幅器により,マルチギガビット通信システム用端末の小型化が期待できる.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-12-10
著者
-
佐藤 優
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
牧山 剛三
富士通株式会社
-
原 直紀
富士通株式会社
-
中舍 安宏
富士通株式会社
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社
-
佐藤 優
東海大 工
-
佐藤 優
富士通株式会社
-
鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
-
佐藤 優
株式会社 秋田鶏病中央研究所
-
芝 祥一
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
中舍 安宏
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
高橋 剛
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
牧山 剛三
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
芝 祥一
富士通株式会社
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