寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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ゲート寄生容量を低減するための新規のデバイス技術を開発した。本デバイス技術は、ゲート電極周辺の配線層間膜起因の寄生容量を低減し、集積回路の動作速度を向上させることを可能にした。本技術を使用したInP-HEMTを集積化したT-FFにおいて90GHz動作を確認した。これは、FETで構成されたT-FFでは最高速動作であり、本技術の有効性を実証する結果である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-13
著者
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多木 俊裕
株式会社富士通研究所
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牧山 剛三
株式会社富士通研究所
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高橋 剛
株式会社富士通研究所
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滝川 正彦
(株)富士通研究所
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鈴木 俊秀
富士通株式会社
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澤田 憲
株式会社富士通研究所
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澤田 憲
(株)富士通研究所
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滝川 正彦
株式会社富士通研究所
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鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
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原 直紀
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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