滝川 正彦 | (株)富士通研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
滝川 正彦
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社
-
中舎 安宏
(株)富士通研究所
-
廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通株式会社
-
滝川 正彦
株式会社富士通研究所
-
渡邊 祐
株式会社 富士通研究所
-
渡辺 祐
富士通研
-
廣瀬 達哉
富士通研究所
-
高橋 剛
(株)富士通研究所
-
滝川 正彦
富士通研究所
-
渡邊 祐
富士通(株)
-
中舎 安宏
株式会社富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
渡邊 祐
(株)富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通研究所
-
長原 正樹
富士通カンタムデバイス
-
澤田 憲
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
川野 陽一
富士通株式会社
-
常信 和清
株式会社富士通研究所
-
高橋 英徳
富士通カンタムデバイス株式会社
-
牧山 剛三
株式会社富士通研究所
-
高橋 剛
株式会社富士通研究所
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
-
鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
高橋 剛
富士通研究所
-
田中 均
富士通研究所
-
渡邊 祐
株式会社富士通研究所
-
五十嵐 武士
富士通カンタムデバイス株式会社
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
-
渡邊 祐
富士通研究所
-
黒田 滋
(株)富士通研究所
-
宮田 忠幸
富士通研究所
-
深谷 潤
富士通カンタムデバイス
-
牧山 剛三
富士通研究所
-
舘野 泰範
富士通カンタムデバイス
-
鈴木 俊秀
富士通研究所
-
澤田 憲
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
館野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
-
加納 英樹
株式会社富士通研究所
-
深谷 潤
富士通カンタムデバイス株式会社
-
川野 陽一
株式会社富士通研究所
-
廣瀬 達哉
富士通株式会社
-
落水 洋聡
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
株式会社富士通研究所
-
宮田 忠幸
(株)富士通研究所
-
黒田 滋
富士通研
-
澤田 憲
株式会社富士通研究所
-
川野 陽一
富士通研究所
-
川野 陽一
(株)富士通研究所
-
原 直紀
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
深田 憲
(株)富士通研究所
-
山浦 新司
(株)富士通研究所rf設計部
-
今西 健治
富士通研究所
-
岡本 直哉
(株)富士通研究所
-
岡本 直哉
富士通
-
前田 毅
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通
-
吉川 俊英
富士通研究所
-
原 直紀
富士通研究所
-
落水 洋聡
富士通研究所
-
田中 均
(株)富士通研究所
-
栗田 滋
富士通研究所
-
河西 和美
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
常信 和清
富士通研究所
-
前田 毅
富士通研究所
-
河西 和美
富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通カンタムデバイス株式会社
-
常信 和清
富士通カンタムデバイス株式会社
-
滝川 正彦
富士通カンタムデバイス株式会社
-
山浦 新司
株式会社富士通研究所
-
澤田 憲
富士通研究所
-
SAWADA K.
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
今西 健治
富士通研
-
Sawada K.
(株)富士通研究所
-
加納 英樹
富士通研究所
著作論文
- 0.8V低電力HEMTプリスケーラ
- 0.7-mW/2-GHzデュアルジュラスプリスケーラIC
- InGaP/GaAsヘテロ構造の電子素子への応用
- プリスケーラ用低電力フリップフロップの検討
- SC-5-2 InGaPチャネルFETにおける高耐圧化の機構
- AlAs上に成長したGeエピ特性のAlAs表面構造依存性
- GaSによるGaAs表面パッシベーションとその応用
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- マイクロ波帯パワ-デバイスの最新技術 (特集:化合物半導体)
- C-10-5 InP HEMT技術を用いたCMU付きフルレート4:1マルチプレクサ(C-10.電子デバイス)
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTのモノリシック集積化
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUXIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2 : 1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUX IC(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
- InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- C-10-3 InP-HEMTを用いた63Gbit/s動作1:2デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP系HEMT技術を用いた43Gb/sフルレート4:1マルチプレクサ
- InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF