今西 健治 | 富士通

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概要

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• 今西 健治

  富士通

• 今西 健治

  富士通研究所

• 今西 健治

  富士通研

• 吉川 俊英

  富士通

• 金村 雅仁

  (株)富士通研究所

• 牧山 剛三

  (株)富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通

• 多木 俊裕

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

• 常信 和清

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 常信 和清

  富士通株式会社

• 今西 健治

  (株)富士通研究所

• 岡本 直哉

  富士通

• 原 直紀

  富士通研究所

• 原 直紀

  (株)富士通研究所

• 牧山 剛三

  富士通

• 牧山 剛三

  株式会社 富士通研究所

• 吉川 俊英

  (株)富士通研究所

• 原 直紀

  株式会社富士通研究所

• 吉川 俊英

  富士通研究所

• 常信 和清

  (株)富士通研究所

• 吉川 俊英

  富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部

• 金村 雅仁

  富士通株式会社

• 重松 寿生

  (株)富士通研究所

• 増田 哲

  富士通研究所

• 増田 哲

  (株)富士通研究所

• 重松 寿生

  富士通研究所

• 増田 哲

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 多木 俊裕

  (株)富士通研究所

• 牧山 剛三

  富士通株式会社

• 多木 俊裕

  富士通株式会社

• 今西 健治

  富士通株式会社

• 金村 雅仁

  富士通(株)

• 岡本 直哉

  (株)富士通研究所

• 牧山 剛三

  富士通研究所

• 井上 雄介

  (株)富士通研究所

• 岩井 大介

  (株)富士通研究所

• 岩井 大介

  富士通研

• 高橋 剛

  (株)富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通(株)

• 今西 健治

  富士通(株)

• 牧山 剛三

  富士通(株)

• 常信 和清

  富士通(株)

• 鈴木 俊秀

  富士通株式会社

• 山田 敦史

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通研究所

• 高橋 剛

  富士通株式会社

• 原 直紀

  富士通

• 岡本 直哉

  富士通(株)

• 吉川 俊英

  富士通(株)

• 中舎 安宏

  富士通研究所

• 中舎 安宏

  富士通株式会社

• 原 直紀

  富士通(株)

• 常信 和清

  富士通

• 渡部 慶二

  富士通研究所

• 中舍 安宏

  株式会社富士通研究所

• 田中 均

  富士通研究所

• 山田 全男

  (株)富士通研究所

• 山口 泰弘

  富士通カンタムデバイス

• 高橋 剛

  株式会社富士通研究所

• 西 真弘

  富士通カンタムデバイス(株) 先端技術開発部

• 鈴木 俊秀

  (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部

• 田中 均

  (株)富士通研究所

• 中舎 安宏

  (株)富士通研究所

• 小原 史朗

  (株)富士通研究所

• 山田 浩

  (株)富士通研究所

• 山口 泰弘

  (株)富士通研究所

• 鈴木 俊秀

  (株)富士通研究所

• 小原 史朗

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 渡辺 祐

  富士通研

• 渡邊 祐

  富士通(株)

• 岡本 直哉

  富士通株式会社

• 増田 哲

  富士通株式会社

• 尾崎 史朗

  株式会社富士通研究所

• 中村 哲一

  株式会社富士通研究所

• 西 眞広

  富士通カンタムデバイス(株)

• 今西 健治

  株式会社富士通研究所

• 西 真弘

  富士通カンタムデバイス(株)

• 尾崎 史朗

  富士通研究所

• 西森 理人

  富士通研究所

• 山田 敦史

  富士通研究所

• 高橋 剛

  富士通研究所

• 渡邊 祐

  (株)富士通研究所

• 渡邊 祐

  株式会社 富士通研究所

• 渡邊 祐

  株式会社富士通研究所

• 西岡 健

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 牧山 剛三

  株式会社富士通研究所

• 渡邊 祐

  富士通研究所

• 福澤 香苗

  (株)富士通研究所

• 久保 徳郎

  (株)富士通研究所

• 岡本 直哉

  富士通研究所

• 岡本 直哉

  株式会社富士通研究所

• 廣瀬 達哉

  株式会社富士通研究所

• 廣瀬 達哉

  (株)富士通研究所

• 赤瀬川 章彦

  (株)富士通研究所

• 鈴木 秀雄

  富士通研究所

• 廣瀬 達哉

  富士通株式会社

• 山田 敦史

  富士通株式会社

• 落水 洋聡

  (株)富士通研究所

• 宮下 工

  (株)富士通研究所

• 佐藤 優

  富士通研究所高速ICテクノロジ研究部

• 滝川 正彦

  (株)富士通研究所

• 滝川 正彦

  富士通研究所

• 鈴木 秀雄

  (株)富士通研究所

• 吉川 俊秀

  富士通(株)

• 山田 敦史

  富士通(株)

• 増田 哲

  富士通(株)

• 重松 寿生

  富士通(株)

• 常信 和清

  富士通研究所

• 西岡 健

  (株)富士通研究所

• 山本 達

  (株)富士通研究所

• 鈴木 俊秀

  富士通研究所

• 中舎 安宏

  株式会社富士通研究所

• 赤瀬川 章彦

  富士通株式会社

• 加納 英樹

  株式会社富士通研究所

• 大西 裕明

  富士通研究所

• 増田 哲

  富士通

• 西 眞弘

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 原 直樹

  富士通研究所

• 金村 雅仁

  富士通研究所

• 鈴水 俊秀

  株式会社富士通研究所

• 大矢 章雄

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 佐藤 優

  富士通研究所

• 福澤 香苗

  (株)富士通研究所化合物lsi研究部

• 今田 忠紘

  富士通研究所

• 美濃浦 優一

  富士通研究所

• 今田 忠紘

  株式会社富士通研究所

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著作論文

• 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
• C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• W帯GaN MMIC送受信増幅器
• ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
• GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造
• CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
• InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
• ED2000-92 MOCVD成長GaAs/InGaPヘテロ構造における界面の制御
• CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• 高出力InGaP/GaAs HBTの位相歪みとACP特性
• InGaP/GaAs HBTの線形性に対するソースインピーダンスの影響
• 低電圧動作LバンドInGaP/GaAs パワーHBT
• MOVPE成長V族切換界面(InGaP/(In) GaAs)の特性制御
• MOVPE成長InGaP/GaAsヘテロ界面の評価
• C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
• InP HEMTを用いた超広帯域プリアンプIC
• 共鳴トンネルダイオードとHEMTのモノリシック集積化
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
• 超高速IC用InP HEMTデバイス・プロセス技術
• 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 導電性n型SiC基板上に作製したAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• CS-9-2 携帯電話基地局用GaN-HEMT(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT
• 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• C-10-13 共鳴トンネルダイオードを用いたサンプリング回路
• InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
• InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
• C-10-16 InP-HEMTを用いた400Gbit/s動作 D-FF&MUX回路
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用

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