増田 哲 | 富士通研究所

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概要

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関連著者

• 増田 哲

  富士通研究所

• 増田 哲

  (株)富士通研究所

• 今西 健治

  富士通研究所

• 牧山 剛三

  (株)富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通

• 牧山 剛三

  富士通

• 吉川 俊英

  富士通

• 多木 俊裕

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

• 今西 健治

  富士通

• 常信 和清

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 牧山 剛三

  株式会社 富士通研究所

• 今西 健治

  富士通研

• 増田 哲

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 金村 雅仁

  (株)富士通研究所

• 原 直紀

  (株)富士通研究所

• 岡本 直哉

  富士通

• 常信 和清

  富士通株式会社

• 原 直紀

  富士通研究所

• 重松 寿生

  (株)富士通研究所

• 重松 寿生

  富士通研究所

• 吉川 俊英

  富士通研究所

• 常信 和清

  (株)富士通研究所

• 井上 雄介

  (株)富士通研究所

• 多木 俊裕

  (株)富士通研究所

• 岡本 直哉

  (株)富士通研究所

• 今西 健治

  (株)富士通研究所

• 吉川 俊英

  (株)富士通研究所

• 原 直紀

  株式会社富士通研究所

• 吉川 俊英

  富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部

• 中舍 安宏

  株式会社富士通研究所

• 山田 全男

  (株)富士通研究所

• 牧山 剛三

  富士通株式会社

• 多木 俊裕

  富士通株式会社

• 金村 雅仁

  富士通株式会社

• 今西 健治

  富士通株式会社

• 中舎 安宏

  (株)富士通研究所

• 中舎 安宏

  富士通研究所

• 中舎 安宏

  富士通株式会社

• 岡本 直哉

  富士通株式会社

• 増田 哲

  富士通株式会社

• 尾崎 史朗

  株式会社富士通研究所

• 中村 哲一

  株式会社富士通研究所

• 尾崎 史朗

  富士通研究所

• 真田 篤志

  山口大学大学院理工学研究科物質工学系専攻

• 西野 有

  三菱電機株式会社

• 河合 邦浩

  NTTドコモ

• 西野 有

  三菱電機

• 西野 有

  三菱電機情報技術総合研究所

• 関 智弘

  NTT

• 木村 功一

  電気通信大学

• 平田 明史

  ATR Wave Engineering Laboratories

• 真田 篤志

  山口大学

• 平田 明史

  ATR適応コミュニケーション研究所

• 赤瀬川 章彦

  (株)富士通研究所

• 高橋 剛

  (株)富士通研究所

• 関 智弘

  Ntt未来ねっと研究所

• 真田 篤志

  山口大学大学院理工学研究科

• 真田 篤志

  山ロ大院理工

• 真田 篤志

  山口大学大学院理工学研究科物質工学系学域量子デバイス工学分野

• 金村 雅仁

  富士通(株)

• 多木 俊裕

  富士通(株)

• 今西 健治

  富士通(株)

• 牧山 剛三

  富士通(株)

• 常信 和清

  富士通(株)

• 山田 敦史

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 牧山 剛三

  富士通研究所

• 吉川 俊秀

  富士通(株)

• 山田 敦史

  富士通(株)

• 増田 哲

  富士通(株)

• 重松 寿生

  富士通(株)

• 原 直紀

  富士通(株)

• 吉良 秀彦

  富士通(株)

• 赤瀬川 章彦

  富士通株式会社

• 増田 哲

  富士通

• 北嶋 雅之

  富士通(株)

• 真田 篤志

  山口大学工学部電気電子工学科

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著作論文

• 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
• 第34回欧州マイクロ波会議出席報告(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• W帯GaN MMIC送受信増幅器
• 第34回欧州マイクロ波会議出席報告(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• C-2-76 110GHz 超広帯域モールドチップサイズパッケージ
• SC-9-8 多層配線を用いた 110-GHz 超広帯域フリップチップ分布型増幅器
• 110 GHz 超広帯域フリツプチツプ分布型増幅器
• 110GHz超広帯域フリップチップ分布型増幅器

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