110 GHz 超広帯域フリツプチツプ分布型増幅器
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
インバーテドマイクロストリップ線路を用いることにより超広帯域なInP HEMT分布型増幅器を開発した。試作した増幅器は、一方は利得14.5 dB, 3dB帯域幅94 GHz (利得帯域積:500 GHz)を他方は利得7.5 dB, 3dB帯域幅110 GHz を達成した。さらに、フリップチップ実装を行い、フリップチップ実装後の特性はベアチップ特性と概ね一致することを確認し、W帯まで動作する超広帯域なパッケージICが実現可能であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-09
著者
関連論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- 第34回欧州マイクロ波会議出席報告(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- SC-10-1 超高周波MMICパッケージング技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- C-2-7 70-110GHz帯高利得増幅器MMIC(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- 超高周波対応ローコストMMICパッケージ
- C-2-15 インバーテドマイクロストリップ路線を用いた利得帯域積 500 GHz 分布型増幅器
- C-2-12 樹脂封止フリップチップW帯多層MMIC
- インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
- SC-10-1 分布型FETモデルを用いたデバイスパラメタのゲート幅スケーリングの検討
- 幾何学形状を考慮したFET小信号等価回路モデル
- W帯GaN MMIC送受信増幅器
- 超高周波対応ローコストMMICパッケージ
- 第34回欧州マイクロ波会議出席報告(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SC-10-1 超高周波MMICパッケージング技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
- インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
- SC-10-1 分布型FETモデルを用いたデバイスパラメタのゲート幅スケーリングの検討
- C-2-76 110GHz 超広帯域モールドチップサイズパッケージ
- SC-9-8 多層配線を用いた 110-GHz 超広帯域フリップチップ分布型増幅器
- 110 GHz 超広帯域フリツプチツプ分布型増幅器
- 110GHz超広帯域フリップチップ分布型増幅器