高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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概要
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高信頼GaN-HEMT開発のためGaN-HEMT素子の劣化モードの解析を行った。GaN-HEMTにおいては、信頼度に関する解析が十分でなく突然劣化というピンチオフ状態でドレイン電流が増加する現象があることが報告されている[6]。本報告では劣化モードの解析を実施し、突然劣化現象がGaN-HEMTのゲートリークと強い相関があることを見出し、ゲートリーク電流により突然劣化素子を除去するための手法を提案する。提案した手法によって突然劣化素子を除去し、ドレイン電圧50Vピンチオフ通電試験を実施した。その結果、200℃におい10^6時間を超える長期信頼性を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-09
著者
-
重松 寿生
(株)富士通研究所
-
増田 哲
富士通研究所
-
今西 健治
富士通研究所
-
井上 雄介
(株)富士通研究所
-
増田 哲
(株)富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
(株)富士通研究所
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
岡本 直哉
(株)富士通研究所
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
(株)富士通研究所
-
常信 和清
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通
-
牧山 剛三
富士通
-
岡本 直哉
富士通
-
重松 寿生
富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社
-
多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
原 直紀
富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
-
増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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